【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及数据读取电路，更具体地，涉及通过使用多个基准电压来执行数据读取操作的数据读取电路、包括该数据读取电路的非易失性存储器件，以及从该非易失性存储器件读取数据的方法。
技术介绍
半导体存储器是一种在基于半导体的集成电路上实施的电子数据存储设备。半导体存储器件的例子可以包括易失性存储器件和非易失性存储器件。易失性存储器件为保持所存储的信息需要电力，非易失性存储器件则不需要。非易失性存储器件的例子可以包括相变随机存取存储器(Phase Change RandomAccess Memory, PRAM)、电阻随机存取存储器(Resistive Random Access Memory, RRAM)>磁随机存取存储器(Magnetic Random Access Memory, MRAM)以及铁电随机存取存储器(Ferroelectric Random Access Memory, FRAM)。PRAM 通过更改制造器件的物质的状态来存储数据；RRAM使用例如复合金属氧化物的可变电阻材料来存储数据，所述复合金属氧化物的电阻值在被施加电压时改变；MRAM...
【技术保护点】
一种从非易失性存储器件读取数据的方法，包括：在第一感测放大器处接收数据电压、第一基准电压和第二基准电压，其中，数据电压对应于存储在存储单元中的数据；在第一感测放大器处感测数据电压与第一基准电压和第二基准电压之间的电压电平差以产生第一差分输出信号和第二差分输出信号；以及在第二感测放大器处放大第一差分输出信号和第二差分输出信号以产生存储单元的读取数据。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金燦景，黄泓善，朴哲佑，姜尚范，吴洞録，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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