本发明专利技术公开了一种存储器编程方法及应用其的闪存装置。其中，存储器编程方法，应用于包括第一及第二存储器层面(Plane)的闪存，包括下列步骤：接收包括编程逻辑地址的编程指令；建立第一逻辑至实体(Logic-to-Physical，L2P)对照表将编程逻辑地址对应至第一存储器层面中的主存储空间；判断闪存是否操作于随取操作(Random?Access)模式；若是，建立第二L2P对照表将编程逻辑地址对应至第二存储器层面中的备份存储空间；将编程数据同时写入主存储空间及第二存储器层面的备份存储空间；然后判断主存储空间是否编程成功；若否，将对应至主存储空间的地址指向备份存储空间。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种存储器编程方法及应用其的闪存装置，且特别是有关于一种针对数据编程错误进行错误回复的存储器编程方法及应用其的闪存装置。
技术介绍
在科技发展日新月异的现今时代，非易失性存储器装置被广泛地应用在多种电子产品中；举例来说，闪存为最为广泛使用的非易失性存储器之一。一般来说，闪存中的存储单元具有可编程的阈值电压，此可编程的阈值电压用以指示此存储单元中储存的数据数值。·在闪存的数据编程操作中，偶发地会发生编程失败的情形。据此，需执行诸如错误更正码(Error Correction Code, ECC),以进行相关的回复操作。然而在一些严重的编程错误中，即便执行ECC仍无法对编程失败的数据进行回复，而将导致数据损失。据此，如何针对闪存提出更完善的编程方法，以在编程失败发生时有效地对编程失败的数据进行回复，为业界不断致力方向之一。
技术实现思路
本专利技术有关于一种存储器编程方法及应用其的闪存装置，其是应用于具有第一及第二存储器层面(Memory Plane)的闪存中。本专利技术相关的存储器编程方法及应用其的闪存装置更在此闪存操作于随取操作(Random Access)模式时，则建立第一逻辑至实体(Logic-to-Physical,L2P)对照表来将接收的编程逻辑地址对应至第一存储器层面中的主存储空间、建立第二 L2P对照表来将编程逻辑地址对应至第二存储器层面中的备份存储空间并据以同时将编程数据写入此主存储空间及此备份存储空间中。当主存储空间发生编程失败时，本专利技术相关的存储器编程方法及应用其的闪存装置可将对应至主存储空间的地址指向备份存储空间，以此对闪存进行错误修补。据此，相较于传统闪存，本专利技术相关的存储器编程方法及应用其的闪存装置据此可有效地对编程失败的数据进行回复的优点。根据本专利技术的第一方面，提出一种存储器编程方法，应用于闪存，其中闪存包括第一及第二存储器层面(Plane)，存储器编程方法包括下列步骤首先接收包括编程逻辑地址的编程指令；接着建立第一逻辑至实体(Logic-to-Physical，L2P)对照表将编程逻辑地址对应至第一存储器层面中的主存储空间；然后判断闪存是否操作于随取操作(RandomAccess)模式；若是，建立第二 L2P对照表将编程逻辑地址对应至第二存储器层面中的备份存储空间；接着对第一及第二存储器层面同时进行编程以将编程数据写入主存储空间及第二存储器层面的备份存储空间；然后判断主存储空间是否编程成功；若否，将对应至主存储空间的地址指向备份存储空间。根据本专利技术的第二方面，提出一种闪存装置，响应于编程指令进行数据编程操作，编程指令包括编程逻辑地址。闪存装置包括闪存、缓存器及存储器控制器。闪存包括第一及第二存储器层面。缓存器暂存对应至编程指令的编程数据。存储器控制器响应于编程指令建立第一 L2P对照表，以将编程逻辑地址对应至第一存储器层面的主存储空间；存储器控制器更判断该闪存是否操作于随取操作模式；若是，则建立第二 L2P对照表，将编程逻辑地址对应至第二存储器层面的备份存储空间。存储器控制器更对第一及第二存储器层面同时进行编程，以将编程数据写入主存储空间及备份存储空间。存储器控制器更判断主存储空间是否编程成功，若否，则将对应至主存储空间的地址指向备份存储空间。为了对本专利技术的上述及其它方面有更佳的了解，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。附图说明图I绘示依照本专利技术实施例的闪存装置的方块图。图2绘示依照逻辑至实体对照表L2P_1的操作示意图。 图3绘示依照逻辑至实体对照表L2P_2的操作示意图。图4绘示依照本专利技术实施例的存储器编程方法的流程图。图5绘示依照本专利技术实施例的存储器编程方法的部份流程图。主要元件符号说明I:闪存装置2 :主机10:闪存20:缓存器30:存储器控制器10_P1、10_P2 :存储器层面Page_M :主存储分页Page_T :备份存储分页B(L):逻辑存储器区块P(L_N)-P(L_N+M):逻辑存储器分页B (P)、B (P_X)-B (P_Z):物理存储器区块P (P_N) -P (P_N+M):物理存储器分页具体实施例方式请参照图I，其绘示依照本专利技术实施例的闪存装置的方块图。本实施例的闪存装置I响应于主机2提供的编程指令CMD进行数据编程操作，编程指令CMD包括编程逻辑地址Addr_P。闪存装置I包括闪存10、缓存器20及存储器控制器30。缓存器20暂存对应至编程指令CMD的编程数据Data。闪存10包括存储器层面(Plane) 10_P1及10_P2。举例来说，存储器层面10_P1包括多个存储区块(Block)，而各存储区块包括存储分页(Page);存储器层面10_P2包括备份存储区块。进一步来说，存储区块为与非门(NAND)闪存的清除操作(Erase)的操作单位，而存储分页为NAND闪存的编程操作(Program)及读取操作(Read)的操作单元。存储器控制器30响应于编程指令CMD建立逻辑至实体(Logic-to-Physical，L2P)对照表L2P_1，以将编程逻辑地址Addr_P对应至存储器层面10_P1中的主存储空间。举例来说，L2P对照表L2P_1对应至区块操作模式(Block Mode)，其用以将编程逻辑地址Addr_P对应至特定的存储区块中的主存储分页Page_M。举例来说，对应至区块操作模式的L2P对照表L2P_1是以区块为单位，来将逻辑层面的分页地址对应至物理存储器分页，如图2所示。进一步来说，对于逻辑层面同属一个逻辑存储器区块B (L)的多个逻辑存储器分页P (L_N)、P (L_N+1).....P (L_N+M)来说，其于实体层面中亦对应至一个相同的物理存储器区块B(P)中的多个物理存储器分页P(P_N)、P (P_N+1)、. . .、P (P_N+M)，其中 N 及 M 为自然数。存储器控制器30更判断闪存10是否操作于随取操作(Random Access)模式。举例来说，存储器控制器30是参考编程指令CMD及存储器层面10_P1及10_P2的容量，来判断闪存10是否操作于随取操作模式中。 当闪存10操作于随取操作模式时，存储器控制器30建立L2P对照表L2P_2，以将编程逻辑地址CMD对应至存储器层面10_P2中的备份存储空间。举例来说，L2P对照表L2P_2是对应至分页操作模式(Page Mode)，其用以将编程逻辑地址Addr_P对应至存储器层面10_P2中一个暂存区块Block_T中的暂存存储分页Page_T。在建立L2P对照表L2P_1及LTP_2之后，存储器控制器30更对存储器层面10_P1及10_P2同时进行编程，以将编程数据Data写入存储器层面10_P1的主存储分页Page_M及写入存储器层面10_p2的备份存储分页Page_T。举例来说，对应至分页操作模式的L2P对照表L2P_2是以分页为单位，来将逻辑层面的分页地址对应至物理存储器分页，如图3所示。进一步来说，对于逻辑层面同属一个逻辑存储器区块B_L的多个逻辑存储器分页P (L_N)、P (L_N+1).....P (L_N+M)来说，其于实体层面中可能对应至不同的存储器区块B (P_X)、B (P_Y)及B (Ρ_Ζ)中的部本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种存储器编程方法，应用于一闪存，其中该闪存包括一第一存储器层面(Plane)及一第二存储器层面，该存储器编程方法包括：接收一编程指令，包括一编程逻辑地址；建立一第一逻辑至实体(Logic?to?Physical，L2P)对照表，以将该编程逻辑地址对应至该第一存储器层面中的一主存储空间；判断该闪存是否操作于一随取操作(Random?Access)模式；当该闪存操作于该随取操作模式时，建立一第二L2P对照表，以将该编程逻辑地址对应至该第二存储器层面中的一备份存储空间；以及对该第一及该第二存储器层面同时进行编程，以将一编程数据写入该第一存储器层面的该主存储空间及写入该第二存储器层面的该备份存储空间。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：高龙毅，洪俊雄，陈汉松，何信义，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。