存储器编程方法及应用其的闪存装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种存储器编程方法及应用其的闪存装置。其中，存储器编程方法，应用于包括第一及第二存储器层面(Plane)的闪存，包括下列步骤：接收包括编程逻辑地址的编程指令；建立第一逻辑至实体(Logic-to-Physical，L2P)对照表将编程逻辑地址对应至第一存储器层面中的主存储空间；判断闪存是否操作于随取操作(Random?Access)模式；若是，建立第二L2P对照表将编程逻辑地址对应至第二存储器层面中的备份存储空间；将编程数据同时写入主存储空间及第二存储器层面的备份存储空间；然后判断主存储空间是否编程成功；若否，将对应至主存储空间的地址指向备份存储空间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种存储器编程方法及应用其的闪存装置，且特别是有关于一种针对数据编程错误进行错误回复的存储器编程方法及应用其的闪存装置。
技术介绍
在科技发展日新月异的现今时代，非易失性存储器装置被广泛地应用在多种电子产品中；举例来说，闪存为最为广泛使用的非易失性存储器之一。一般来说，闪存中的存储单元具有可编程的阈值电压，此可编程的阈值电压用以指示此存储单元中储存的数据数值。·在闪存的数据编程操作中，偶发地会发生编程失败的情形。据此，需执行诸如错误更正码(Error Correction Code, ECC),以进行相关的回复操作。然而在一些严重的编程错误中，即便执行ECC仍无法对编程失败的数据进行回复，而将导致数据损失。据此，如何针对闪存提出更完善的编程方法，以在编程失败发生时有效地对编程失败的数据进行回复，为业界不断致力方向之一。
技术实现思路
本专利技术有关于一种存储器编程方法及应用其的闪存装置，其是应用于具有第一及第二存储器层面(Memory Plane)的闪存中。本专利技术相关的存储器编程方法及应用其的闪存装置更在此闪存操作于随取操作(Random Access)模式时，则本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器编程方法，应用于一闪存，其中该闪存包括一第一存储器层面(Plane)及一第二存储器层面，该存储器编程方法包括：接收一编程指令，包括一编程逻辑地址；建立一第一逻辑至实体(Logic?to?Physical，L2P)对照表，以将该编程逻辑地址对应至该第一存储器层面中的一主存储空间；判断该闪存是否操作于一随取操作(Random?Access)模式；当该闪存操作于该随取操作模式时，建立一第二L2P对照表，以将该编程逻辑地址对应至该第二存储器层面中的一备份存储空间；以及对该第一及该第二存储器层面同时进行编程，以将一编程数据写入该第一存储器层面的该主存储空间及写入该第二存储器层面的该备份存储空间...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：高龙毅，洪俊雄，陈汉松，何信义，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：