一种闪存的坏块管理方法、装置和一种存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术属于数据存储领域，提供一种闪存的坏块管理方法、装置和一种存储系统，以提高整个NAND Flash的利用率。所述方法包括：从块队列中取出待写块；检查待写块是否被标识了再生流程旗标；若待写块被标识了再生流程旗标，则判断被标识了再生流程旗标的待写块是否满足利用率要求；若被标识了再生流程旗标的待写块满足利用率要求，则将满足利用率要求的待写块纳入写数据流程执行写操作。本发明专利技术提供的技术方案一方面并不会影响闪存的读写效能；另一方面，可以避免NAND Flash等闪存的存储空间的浪费，从而提高整个NAND Flash的利用率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于数据存储领域，尤其涉及一种闪存的坏块管理方法、装置和一种存储装置。
技术介绍
Flashmemory简称闪存或Flash，是电子清除式可编程只读存储器(EEPROM)的一种，允许在操作中多次擦(Erase)或写(Program)。闪存是一种特殊的、以大区块擦写的EEPROM，其成本和速度都远较普通的以字节为单位写入的EEPROM有优势，也因此成为非挥发性固态存储最重要、也最广为采纳的技术。目前Flash主要分为NOR型和NAND型两种结构，NANDFlash相较于NORFlash具有擦写速度快、存储密度高、单位陈本低的有点。由于Flash的一个主要限制在于它的物理单元在写操作时只能由1变成0，因此，当NANDFlash的一个单元写过之后只能借由擦除操作(Erase)来恢复1的状态。NANDFlash在物理上分为块(Block)和页(Page)两种基本单位，NANDFlash由若干块组成，而其中每个块由若干页组成。一个页在进行写入数据之前，必须先保证其所在的块已经经过了擦除，且每次该页需要重新写入数据之前必须先擦除其对应的块。由于NANDFlash工艺越来越先进，而导致NANDFlash耐久性和可靠度变得更差，同时，由于NANDFlash原厂对闪存坏块的定义是：若确定某个块(Block)的某个或某些页面有位错误并且超出检错纠错(ErrorCorrectingCode，ECC)的能力范围，则该整个块就会被定义为坏块，然而，实际情况是该块的其他很多页面是好的且可以使用，因此，这种对坏块定义的方法直接导致了一旦NANDFlash有坏页发生，则会降低整个NANDFlash的利用率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种闪存的坏块管理方法、装置和一种存储系统，以提高整个NANDFlash的利用率。本专利技术第一方面提供一种闪存的坏块管理方法，所述方法包括：从块队列中取出待写块；检查所述待写块是否被标识了再生流程旗标；若所述待写块被标识了再生流程旗标，则判断所述被标识了再生流程旗标的待写块是否满足利用率要求；若所述被标识了再生流程旗标的待写块满足利用率要求，则将所述满足利用率要求的待写块纳入写数据流程执行写操作。本专利技术第二方面提供一种闪存的坏块管理装置，所述装置包括：取块模块，用于从块队列中取出待写块；旗标检查模块，用于检查所述待写块是否被标识了再生流程旗标；判断模块，用于若所述待写块被标识了再生流程旗标，则判断所述被标识了再生流程旗标的待写块是否满足利用率要求；写模块，用于若所述判断模块的判断结果为所述被标识了再生流程旗标的待写块满足当前利用率要求，则将所述满足利用率要求的待写块纳入写数据流程执行写操作。本专利技术第三方面提供一种存储系统，所述存储系统包括上述闪存的坏块管理装置。从上述本专利技术技术方案可知，通过检查从块队列中取出的待写块被标识了再生流程旗标，在判断被标识了再生流程旗标的待写块满足利用率要求后，再将所述满足利用率要求的待写块纳入写数据流程执行写操作。因此，一方面，在将待写块纳入写数据流程前进行的判断被标识了再生流程旗标的待写块满足利用率要求，其并不会影响闪存的读写效能；另一方面，由于被标识了再生流程旗标的块未必不能使用，在被标识了再生流程旗标的待写块满足当前写数据要求时将其纳入写数据流程，可以避免NANDFlash等闪存的存储空间的浪费，从而提高整个NANDFlash的利用率。附图说明图1是本专利技术实施例一提供的闪存的坏块管理方法的实现流程示意图；图2是本专利技术实施例二提供的闪存的坏块管理装置的结构示意图；图3是本专利技术实施例三提供的闪存的坏块管理装置的结构示意图；图4是本专利技术实施例四提供的闪存的坏块管理装置的结构示意图；图5-a是本专利技术实施例五提供的闪存的坏块管理装置的结构示意图；图5-b是本专利技术实施例六提供的闪存的坏块管理装置的结构示意图；图5-c是本专利技术实施例七提供的闪存的坏块管理装置的结构示意图；图6-a是本专利技术实施例八提供的闪存的坏块管理装置的结构示意图；图6-b是本专利技术实施例九提供的闪存的坏块管理装置的结构示意图；图6-c是本专利技术实施例十提供的闪存的坏块管理装置的结构示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。本专利技术实施例提供一种闪存的坏块管理方法，所述方法包括：从块队列中取出待写块；检查所述待写块是否被标识了再生流程旗标；若所述待写块被标识了再生流程旗标，则判断所述被标识了再生流程旗标的待写块是否满足利用率要求；若所述被标识了再生流程旗标的待写块满足利用率要求，则将所述满足当前利用率要求的待写块纳入写数据流程执行写操作。本专利技术实施例还提供相应的闪存的坏块管理装置和一种存储系统。以下分别进行详细说明。请参阅附图1，是本专利技术实施例一提供的闪存的坏块管理方法的实现流程示意图，主要包括以下步骤S101至步骤S104，详细说明如下：S101，从块队列中取出待写块。在本专利技术实施例中，块队列可视为缓存，入队列的是待写块，这些待写块既可能是可进行正常读写的块，又可能是被标识了再生流程旗标(unhealthyflag)的块。S102，检查待写块是否被标识了再生流程旗标。S103，若待写块被标识了再生流程旗标，则判断所述被标识了再生流程旗标的待写块是否满足利用率要求。在本专利技术实施例中，一旦块被标识了再生流程旗标(unhealthyflag)，意味着该块的读写情况可能不稳定，例如，其物理单元有时不能恢复为状态“1”，后续被使用的概率或权重就会降低，因此，需要进一步处理。作为本专利技术一个实施例，若待写块被标识了再生流程旗标，则判断所述被标识了再生流程旗标的待写块是否满足利用率要求可以通过如下步骤S1031和S1032实现：S1031，将被标识了再生流程旗标的待写块执行块擦除操作。需要说明的是，在本专利技术实施例中，待写块在写入数据之前，无论待写块是否被标识了再生流程旗标，均要通过对其执行块擦除(Erase)操作来恢复状态“1”。S1032，对执行了块擦除操作的待写块进行写预处理操作，以确定所述被标识了再生流程旗标的待写块可用空间是否满足利用率要求。在本专利技术实施例中，被标识了再生流程旗标的待写块可用空间是否满足利用率要求可以是被标识了再生流程旗标的待写块可用空间是否太少，例如，若被标识了再生流程旗标的待写块的大部分扇区都是坏的，则其可用空间就不会满足利用率要求。作为本专利技术一个实施例，对执行了块擦除操作的待写块进行写预处理操作，以确定被标识了再生流程旗标的待写块可用空间是否满足利用率要求可通过如下步骤S’1至S’3实现：S’1，检测被标识了再生流程旗标的待写块的每一扇区。扇区(sector)是闪存中比块(block)更小的单元。由于被标识了再生流程旗标的待写块可能只是其中的部分扇区坏了，因此，可以逐一检测被标识了再生流程旗标的待写块的每一扇区。S’2，若检测到被标识了再生流程旗标的待写块存在一个坏扇区，则将坏扇区计数器的值累加1，并再次检测下一扇区。与现有技术只要块中存在坏扇区就将该块标记为坏块从而导致该整个块都不再利用不同，在本专利技术实施例中，可以设置一个坏扇区计本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种闪存的坏块管理方法，其特征在于，所述方法包括：从块队列中取出待写块；检查所述待写块是否被标识了再生流程旗标；若所述待写块被标识了再生流程旗标，则判断所述被标识了再生流程旗标的待写块是否满足利用率要求；若所述被标识了再生流程旗标的待写块满足利用率要求，则将所述满足利用率要求的待写块纳入写数据流程执行写操作。

【技术特征摘要】
1.一种闪存的坏块管理方法，其特征在于，所述方法包括：从块队列中取出待写块；检查所述待写块是否被标识了再生流程旗标；若所述待写块被标识了再生流程旗标，则判断所述被标识了再生流程旗标的待写块是否满足利用率要求；若所述被标识了再生流程旗标的待写块满足利用率要求，则将所述满足利用率要求的待写块纳入写数据流程执行写操作。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述若所述待写块被标识了再生流程旗标，则判断所述被标识了再生流程旗标的待写块是否满足利用率要求包括：将所述被标识了再生流程旗标的待写块执行块擦除操作；对所述执行了块擦除操作的待写块进行写预处理操作，以确定所述被标识了再生流程旗标的待写块可用空间是否满足利用率要求。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述执行了块擦除操作的待写块进行写预处理操作，以确定所述被标识了再生流程旗标的待写块可用空间是否满足利用率要求，包括：检测所述被标识了再生流程旗标的待写块的每一扇区；若检测到所述被标识了再生流程旗标的待写块存在一个坏扇区，则将坏扇区计数器的值累加1，并再次检测下一扇区；在重复上述过程后，若所述坏扇区计数器的值大于预设阈值，则将所述被标识了再生流程旗标的待写块标识为坏块，否则，确定所述被标识了再生流程旗标的待写块可用空间满足利用率要求。4.如权利要求1至3任意一项所述的方法，其特征在于，所述从块队列中取出待写块之前，所述方法还包括：获取块的状态；若所述块的状态为不佳，则将所述状态不佳的块标识再生流程旗标；将所述状态不佳且标识了再生流程旗标的块存入所述块队列。5.如权利要求1至3任意一项所述的方法，其特征在于，若所述被标识了再生流程旗标的待写块不满足利用率要求，则所述方法还包括：将所述被标识了再生流程旗标且不满足利用率要求的待写块标记为坏块。6.一种闪存的坏块管理装置，其特征在于，所述装置包括：取块模块，用于从块队列中取出待写块；旗标检...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄志铭，庞荣，
申请(专利权)人：建荣半导体深圳有限公司，建荣集成电路科技珠海有限公司，珠海煌荣集成电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44