用于NAND闪速存储器的缺陷管理策略制造技术

管理非易失性存储系统中的缺陷的系统和方法，其可以用于避免数据的无意丢失，同时在非易失性存储系统中维持尽可能多的有用存储器。公开的系统和方法可以监测多个触发事件以用于检测非易失性存储系统中包括的一个或多个非易失性存储器（NVM）设备中的可能缺陷，并且基于导致检测可能缺陷的触发事件的类型来对相应NVM设备应用一个或多个缺陷管理策略。这样的缺陷管理策略可以抢先地用于使非易失性存储系统中的存储器以增加的粒度引退，从而使存储器的引退集中在可能包含缺陷的非易失性存储器的区域上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文描述的实施例大体涉及非易失性存储器技术，并且更具体地涉及管理非易失性存储器中的缺陷的系统和方法。
技术介绍
在例如非易失性存储系统等常规存储系统中，数据可以根据预定纠错编码方案（例如低密度奇偶校验（LDPC）编码方案）来存储。这样的非易失性存储系统可以包括多个非非易失性存储器（NVM）设备，每个NVM设备包含众多NVM存储元件或单元，用于采用LDPC码字的形式存储编码数据。在从这样的NVM设备读取LDPC码字时，可以在每个NVM单元的多个编程状态之间建立一个或多个参考阈值电压水平，并且NVM单元的阈值电压水平可以与相应参考阈值电压水平比较来确定NVM单元的实际编程状态。在典型操作模式中，为了从所选的NVM设备读取期望的LDPC码字，可以执行硬位读操作，其中从所选的NVM设备读取LDPC码字作为所谓的“硬数据”（即，LDPC码字中的逻辑高和低位级分别被看作“1”和“0”）。此外，可以执行软位读操作，其中从所选的NVM设备读取LDPC码字作为所谓的“软数据”（即，LDPC码字中的逻辑高和低位级分别被看作“1”和“0”，并且提供指示LDPC码字中的相应本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种管理非易失性存储系统中的缺陷的方法，所述非易失性存储系统包括一个或多个非易失性存储器（NVM）设备，所述方法包括：由NVM缺陷管理策略引擎监测多个触发事件以用于检测至少一个NVM设备中的可能缺陷，所述多个触发事件中的每个具有关联的类型；监测至少一个触发事件后，由所述NVM缺陷管理策略引擎确定所述触发事件的类型；以及由所述NVM缺陷管理策略引擎基于所述触发事件的类型将至少一个缺陷管理策略应用于所述NVM设备。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.11.22 US 14/0872821.一种管理非易失性存储系统中的缺陷的方法，所述非易失性存储系统包括一个或多个非易失性存储器（NVM）设备，所述方法包括：
由NVM缺陷管理策略引擎监测多个触发事件以用于检测至少一个NVM设备中的可能缺陷，所述多个触发事件中的每个具有关联的类型；
监测至少一个触发事件后，由所述NVM缺陷管理策略引擎确定所述触发事件的类型；以及
由所述NVM缺陷管理策略引擎基于所述触发事件的类型将至少一个缺陷管理策略应用于所述NVM设备。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述触发事件的类型包括软位读触发事件和异或（XOR）数据恢复触发事件中的一个或多个，并且其中将所述至少一个缺陷管理策略应用于所述NVM设备包括使主处理器发出数据读取请求所针对的码字的NVM存储位置引退。
3.如权利要求1或2所述的方法，其中所述触发事件的类型包括所述软位读触发事件和所述XOR数据恢复触发事件中的一个或多个，并且其中将所述至少一个缺陷管理策略应用于所述NVM设备包括使包括所述主处理器发出所述数据读取请求所针对的码字的NVM存储位置的物理存储器页面引退。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述触发事件的类型包括预定数量的硬位读触发事件，并且其中将所述至少一个缺陷管理策略应用于所述NVM设备包括使主处理器发出一个或多个数据读取请求所针对的码字的NVM存储位置引退。
5.如权利要求1或4所述的方法，其中所述触发事件的类型包括预定数量的硬位读触发事件，并且其中将所述至少一个缺陷管理策略应用于所述NVM设备包括使包括所述主处理器发出所述数据读取请求所针对的码字的NVM存储位置的物理存储器页面引退。
6.如权利要求3或5所述的方法，其进一步包括：
在要对包含所述物理存储器页面的非易失性存储器的区域编程的情况下，将预定随机数据模式编程到所述物理存储器页面上。
7.如权利要求3或5所述的方法，其中使所述物理存储器页面引退包括使一组页面引退。
8.如权利要求3或5所述的方法，其中使所述物理存储器页面引退包括使所述NVM设备中的一个或多个中的多个块中的相同页面引退。
9.一种非易失性存储系统，其包括：
非易失性存储器（NVM）控制器；
一个或多个NVM设备，其可通信耦合于所述NVM控制器；以及
NVM缺陷管理策略引擎，其可通信耦合于所述NVM控制器，其中所述NVM缺陷管理策略引擎操作成：
监测多个触发事件以用于检测至少一个NVM设备中的可能缺陷，所述多个触发事件中的每个具有关联的类型；
监测至少一个触发事件后，确定所述触发事件的类型；以及
基于所述触发事件的类型将至少一个缺陷管理策略应用于所述NVM设备。
10.如权利要求9所述的系统，其中所述触发事件的类型包括软
位读触发事件和异或（XOR）数据恢复触发事件中的一个或多个，并且其中所述NVM缺陷管理策略引擎进一步操作成在监测所述软位读触发事件或所述XOR数据恢复事件后使主处理器发出数据读取请求所针对的码字的NVM存储位置引退。
11.如权利要求9或10所述的系统，其中所述触发事件的类型包括所述软位读触发事件和所述XOR数据恢复触发事件中的一个或多个，并且其中所述NVM缺陷管理策略引擎进一步操作成在监测所述软位读触发事件或所述XOR数据恢复触发事件后使包括所述主处理器发出所述数据读请求所...

【专利技术属性】
技术研发人员：P卡拉瓦德，F朱，SS拉胡纳桑，RH莫特万，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国;US