将存储器单元用作源极线下拉电路的闪速存储器系统技术方案
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及将伪存储器单元用作源极线下拉电路的闪速存储器装置。
技术介绍
非易失性存储器单元是本领域众所周知的。第一种类型的现有技术非易失性存储器单元110在图1中示出。存储器单元110包括第一导电类型、例如P型的半导体衬底112。衬底112具有一表面，其上形成了第二导电类型、例如N型的第一区域(又称作源极线SL)。也具有N型的第二区域116(又称作漏极线)在衬底112的表面形成。在第一区域114与第二区域116之间是沟道区118。位线BL120连接到第二区域116。字线WL122定位在沟道区118的第一部分上方，并且与其绝缘。字线122与第二区域116具有极少或者没有重叠。浮栅FG124处于沟道区118的另一部分之上。浮栅124与其绝缘，并且与字线122相邻。浮栅124也与第一区域114相邻。浮栅124可显著地与第一区域114重叠，以提供从区域114到浮栅124中的强耦合。用于现有技术非易失性存储器单元110的擦除和编程的一个示范操作如下所述。通过将高电压施加在字线122上并且将零伏特施加到位线和源极线，经过福勒-诺德海姆隧穿机制(Fowler-Nordhe...
【技术保护点】
一种闪速存储器系统，包括：闪速存储器单元，包括第一源极线；伪闪速存储器单元，包括耦合到所述第一源极线的第二源极线，其中所述第二源极线在所述存储器单元处于读模式或擦除模式时耦合到地，以及在所述存储器单元处于编程模式时耦合到电压源。
【技术特征摘要】
1.一种闪速存储器系统，包括：闪速存储器单元，包括第一源极线；伪闪速存储器单元，包括耦合到所述第一源极线的第二源极线，其中所述第二源极线在所述存储器单元处于读模式或擦除模式时耦合到地，以及在所述存储器单元处于编程模式时耦合到电压源。2.如权利要求1所述的系统，其中，所述闪速存储器单元包括第一控制栅，以及所述伪闪速存储器单元包括第二控制栅。3.如权利要求2所述的系统，其中，所述闪速存储器单元包括第一擦除栅，以及所述伪闪速存储器单元包括第二擦除栅。4.如权利要求1所述的系统，其中，所述闪速存储器单元包括位线，以及所述伪闪速存储器单元包括伪位线。5.如权利要求4所述的系统，其中，所述伪位线在所述存储器单元处于编程模式时耦合到抑制电压。6.如权利要求1所述的系统，其中，所述伪存储器单元在所述存储器单元处于读模式时处于擦除状态。7.一种闪速存储器系统，包括：第一多个闪速存储器单元，耦合到第一公共源极线；多个伪闪速存储器单元，耦合到第二公共源极线，其中所述第二公共源极线耦合到所述第一公共源极线，以及所述第二公共源极线在所述第一多个闪速存储器单元处于读模式或擦除模式时耦合到地，并且在所述第一多个闪速存储器单元处于编程模式时耦合到电压源。8.如权利要求7所述的系统，其中，所述第一多个闪速存储器单元的每个包括控制栅，以及所述多个伪闪速存储器单元的每个包括控制栅。9.如权利要求7所述的系统，其中，所述第一多个闪速存储器单元的每个还包括字线，以及所述多个...
【专利技术属性】
技术研发人员：H·V·特兰，白宁，Q·饶，P·哈扎维，余启文，
申请(专利权)人：硅存储技术公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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