形成分裂栅存储器单元的方法技术

本公开涉及形成分裂栅存储器单元的方法。本发明专利技术公开了一种形成存储器设备的方法，包括在第一导电层上形成第二绝缘层，该第一导电层形成在第一绝缘层上，该第一绝缘层形成在半导体基板上。在第二绝缘层中形成向下延伸到第一导电层的一部分并且暴露该第一导电层的一部分的沟槽，该部分被蚀刻或氧化以具有凹形上表面。沿沟槽的侧壁形成两个绝缘间隔部，该两个绝缘间隔部具有彼此面对的内表面和彼此背离的外表面。源极区形成于基板中的绝缘间隔部之间。第二绝缘层以及第一导电层的一部分被去除以在绝缘间隔部下方形成浮栅。在浮栅的侧表面上形成第三绝缘层。沿外表面形成两个导电间隔部。在基板中相邻于导电间隔部形成漏极区。

【技术实现步骤摘要】
形成分裂栅存储器单元的方法
本专利技术涉及非易失性存储器阵列。
技术介绍
分裂栅非易失性存储器单元和此类单元的阵列是为人们所熟知的。例如，美国专利5，029，130（“’130专利”）公开了分裂栅非易失性存储器单元的阵列，并且以引用方式并入本文用于所有目的。一对现有技术分裂栅存储器单元10在图1中示出。每个存储器单元10包括形成于半导体基板12中的源极区14和漏极区16，沟道区18位于这两者之间。该对存储器单元10共享公用的源极区14。浮栅20形成于沟道区18的第一部分上方并与之隔离（并且控制该部分的导电性）并且形成于源极区14的一部分上方。控制栅极22具有设置在沟道区18的第二部分上方并与之隔离（并控制该部分的导电性）的第一部分22a，以及继续延伸至浮栅20上方的第二部分22b。浮栅20通过氧化物层24与基板12隔离，并且控制栅极22通过氧化物层25与基板隔离。通过在控制栅极22上施加较高正电压来擦除存储器单元10（其中电子从浮栅中去除），这使得浮栅20上的电子经由电场协助隧穿从浮栅20穿过中间绝缘物26（例如，隧道氧化层）通向控制栅本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成存储器设备的方法，包括：/n在半导体基板的上表面上形成第一绝缘层；/n在所述第一绝缘层上形成第一导电层；/n在所述第一导电层上形成第二绝缘层；/n在所述第二绝缘层中形成向下延伸到所述第一导电层的一部分并且暴露所述第一导电层的所述一部分的沟槽；/n蚀刻或氧化所述第一导电层的暴露部分，使得所述暴露部分具有凹形上表面；/n沿所述沟槽的侧壁并在所述凹形上表面的相应部分之上形成第一绝缘间隔部和第二绝缘间隔部，其中所述第一绝缘间隔部和所述第二绝缘间隔部具有彼此面对的内表面和彼此背离的外表面；/n在所述基板的位于所述第一绝缘间隔部与所述第二绝缘间隔部下方和之间的一部分中形成源极区；/n去除所述第...

【技术特征摘要】
1.一种形成存储器设备的方法，包括：
在半导体基板的上表面上形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成第一导电层；
在所述第一导电层上形成第二绝缘层；
在所述第二绝缘层中形成向下延伸到所述第一导电层的一部分并且暴露所述第一导电层的所述一部分的沟槽；
蚀刻或氧化所述第一导电层的暴露部分，使得所述暴露部分具有凹形上表面；
沿所述沟槽的侧壁并在所述凹形上表面的相应部分之上形成第一绝缘间隔部和第二绝缘间隔部，其中所述第一绝缘间隔部和所述第二绝缘间隔部具有彼此面对的内表面和彼此背离的外表面；
在所述基板的位于所述第一绝缘间隔部与所述第二绝缘间隔部下方和之间的一部分中形成源极区；
去除所述第二绝缘层；
将所述第一导电层的部分去除，以形成所述第一导电层的位于所述第一绝缘间隔部下方的第一块体和所述第一导电层的位于所述第二绝缘间隔部下方的第二块体；
在所述第一导电层的所述第一块体和所述第二块体的侧表面上形成第三绝缘层；
沿所述第一绝缘间隔部的所述外表面形成第一导电间隔部，并且沿所述第二绝缘间隔部的所述外表面形成第二导电间隔部；
在所述基板中并且相邻于所述第一导电间隔部形成第一漏极区，并且在所述基板中并且相邻于所述第二导电间隔部形成第二漏极区。


2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在所述第三绝缘层的所述形成之前，将所述第一绝缘层的部分去除，使得所述第一绝缘层的第一部分保留在所述第一导电层的所述第一块体下方，并且所述第一绝缘层的第二部分保留在所述第一导电层的所述第二块体下方。


3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第三绝缘层的所述形成包括在所述基板上表面的部分上直接形成所述第三绝缘层。


4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一导电间隔部和所述第二导电间隔部通过所述第三绝缘层与所述基板隔离，并且通过所述第三绝缘层与所述第一导电层的所述第一块体和所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：邢精成，C王，GY刘，刁颖，X刘，N杜，
申请(专利权)人：硅存储技术公司，
类型：发明
国别省市：美国;US