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本公开涉及形成分裂栅存储器单元的方法。本发明公开了一种形成存储器设备的方法，包括在第一导电层上形成第二绝缘层，该第一导电层形成在第一绝缘层上，该第一绝缘层形成在半导体基板上。在第二绝缘层中形成向下延伸到第一导电层的一部分并且暴露该第一导电层...
该专利属于硅存储技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过硅存储技术公司授权不得商用。

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