【技术实现步骤摘要】
形成具有间隔物限定的浮栅和离散地形成的多晶硅栅的分裂栅闪存存储器单元的方法
本专利技术涉及分裂栅非易失性存储器单元。
技术介绍
具有三个栅的分裂栅非易失性存储器单元是已知的。参见例如美国专利7,315,056，其公开了分裂栅存储器单元，每个分裂栅存储器单元在半导体衬底中具有源极区和漏极区，其中沟道区在其间延伸，浮栅在沟道区的第一部分上方，控制栅（也称为字线栅）在沟道区的第二部分上方，并且编程/擦除(P/E)栅在源极区上方。需要制造方法改进来更好地控制存储器单元的各种元件的形成。
技术实现思路
前述问题和需求通过形成存储器设备的方法来解决，该方法包括：使用第一多晶硅沉积来形成在半导体衬底上方并且与半导体衬底绝缘的第一多晶硅层；在第一多晶硅层上形成绝缘间隔物；移除第一多晶硅层中的一些，以便在绝缘间隔物下面留下第一多晶硅层的块，其中第一多晶硅层的块具有相对的第一侧表面和第二侧表面；在邻近第一侧表面的衬底中形成源极区；使用第二多晶硅沉积在衬底上方形成第二多晶硅层；<...
【技术保护点】
1.一种形成存储器设备的方法，包括：/n使用第一多晶硅沉积来形成在半导体衬底上方并且与所述半导体衬底绝缘的第一多晶硅层；/n在所述第一多晶硅层上形成绝缘间隔物；/n移除所述第一多晶硅层中的一些，以便在所述绝缘间隔物下面留下所述第一多晶硅层的块，其中所述第一多晶硅层的所述块具有相对的第一侧表面和第二侧表面；/n在邻近所述第一侧表面的所述衬底中形成源极区；/n使用第二多晶硅沉积在所述衬底上方形成第二多晶硅层；/n移除所述第二多晶硅层中的一些，以便留下所述第二多晶硅层的块，所述第二多晶硅层的所述块在所述衬底上方并且与所述衬底绝缘，并且邻近所述第二侧表面并且与所述第二侧表面绝缘；/...
【技术特征摘要】
1.一种形成存储器设备的方法，包括：
使用第一多晶硅沉积来形成在半导体衬底上方并且与所述半导体衬底绝缘的第一多晶硅层；
在所述第一多晶硅层上形成绝缘间隔物；
移除所述第一多晶硅层中的一些，以便在所述绝缘间隔物下面留下所述第一多晶硅层的块，其中所述第一多晶硅层的所述块具有相对的第一侧表面和第二侧表面；
在邻近所述第一侧表面的所述衬底中形成源极区；
使用第二多晶硅沉积在所述衬底上方形成第二多晶硅层；
移除所述第二多晶硅层中的一些，以便留下所述第二多晶硅层的块，所述第二多晶硅层的所述块在所述衬底上方并且与所述衬底绝缘，并且邻近所述第二侧表面并且与所述第二侧表面绝缘；
使用第三多晶硅沉积在所述衬底上方形成第三多晶硅层；
移除所述第三多晶硅层中的一些，以便留下所述第三多晶硅层的块，所述第三多晶硅层的所述块在所述源极区上方并且与所述源极区绝缘；以及
在与所述第二多晶硅层的所述块相邻的所述衬底中形成漏极区。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘间隔物的所述形成包括：
在所述第一多晶硅层上形成绝缘材料块；
在所述第一多晶硅层上以及在所述绝缘材料块上形成绝缘材料层；
移除所述绝缘材料层中的一些以便在所述第一多晶硅层上留下所述绝缘材料层的所述绝缘间隔物并且邻接所述绝缘材料块的侧表面。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一多晶硅层中的一些的所述移除包括：
执行第一多晶硅蚀刻以限定与所述绝缘间隔物的第一侧对准的所述第一侧表面；
在所述第一多晶硅蚀刻之后移除所述绝缘材料块；
在所述绝缘材料块的所述移除之后执行第二多晶硅蚀刻以限定与所述绝缘间隔物的第二侧对准的所述第二侧表面。
4.根据权利要求2所述的方法，还包括：
在所述第一多晶硅层上执行多晶硅倾斜蚀刻，使得当上表面的一部分接近所述绝缘材料块时，所述第一多晶硅层的所述上表面的所述部分向上倾斜；
其中所述绝缘间隔物形成在所述上表面的向上倾斜的所述部分上。
5.根据权利要求4所述的方法，其中：
所述第一多晶硅层的所述块包括所述向上倾斜的上表面，所述上表面在所述第二侧表面处终止于锐利边缘。
6.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：C王，X刘，N杜，邢精成，GY刘，刁颖，
申请(专利权)人：硅存储技术公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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