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本发明题为“形成具有间隔物限定的浮栅和离散地形成的多晶硅栅的分裂栅闪存存储器单元的方法”。本发明公开了一种形成存储器设备的方法，所述方法包括使用第一多晶硅沉积在半导体衬底上方形成第一多晶硅层，在所述第一多晶硅层上形成绝缘间隔物，以及移除所述...
该专利属于硅存储技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过硅存储技术公司授权不得商用。

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