【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种非挥发性存储器编码的掩模以及方法，特别是涉及一种可以形成高密度非挥发性存储器编码的掩模以及相关方法。
技术介绍
掩模式只读存储器(mask read only memory；Mask ROM)为非挥发性存储器的一种，在制造过程中，通过编码掩模(coding mask)，将数据储存在集成电路内，因此数据一旦写入后即无法更改，为低成本，高信赖度及大容量的存储器，其被广泛应用于各类信息、通讯、消费性电子等电子产品。图1A为数据尚未写入存储器前的数组区的上视图，图1B为图1A中延着AA线的切面图，图1C为图1A中延着BB线的切面图。数组区80中有平行的多个沟槽10，这些沟槽10又称为掩埋漏带(buried drain strip)。因为在沟槽10中，将会形成掩埋漏(burieddrain)。每一个沟槽10是由两旁的一氧化硅层14以及一氮化硅层16当作蚀刻阻挡层，蚀刻基底12而来。预编码(pre-coding)工艺会在数组区80中形成多个预编码沟槽18，以蚀刻一氮化硅层22而形成。预编码沟槽18大致与沟槽10相垂直。每一个预编码沟槽18与沟槽10交叉的...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种形成高密度非挥发性存储器编码的方法，其特征在于，包括提供一数组区，其具有排成数组的多个可程序化区域；在该数组区上形成图案化的遮蔽层，选择性的遮蔽所述可程序化区域，该遮蔽层具有线/空间图案；以及对该数组区中未被该遮蔽层覆盖处进行离子注入，以程序化该数组区。2.如权利要求1所述的形成高密度非挥发性存储器编码的方法，其特征在于，该数组区包括多条第一沟槽，以及多条预编码沟槽，所述第一沟槽与所述预编码沟槽相垂直，每一个可程序化区域为所述第一沟槽其中之一与所述预编码沟槽其中之一所形成的交叉区域所构成。3.如权利要求2所述的形成高密度非挥发性存储器编码的方法，其特征在于，该线/空间图案中的多条线大致与所述第一沟槽相平行。4.如权利要求2所述的形成高密度非挥发性存储器编码的方法，其特征在于，该线/空间图案中的多条线大致位于所述第一沟槽上。5.如权利要求2所述的形成高密度非挥发性存储器编码的方法，其特征在于，该线/空间图案中的多条线与所述第一沟槽齐平。6.如权利要求2所述的形成高密度非挥发性存储器编码的方法，其特征在于，所述第一沟槽之间的该数组区堆叠有氧化硅层以及氮化硅层。7.如权利要求2所述的形成高密度非挥发性存储器编码的方法，其特征在于，所述预编码沟槽之间的该数组区具有氧化...
【专利技术属性】
技术研发人员：张庆裕，杨大弘，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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