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形成非挥发性存储器编码的掩模及方法技术
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文档序号:3204132
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一种形成高密度非挥发性存储器编码的方法,其特征在于,包括: 提供一数组区,其具有排成数组的多个可程序化区域; 在该数组区上形成图案化的遮蔽层,选择性的遮蔽所述可程序化区域,该遮蔽层具有线/空间图案;以及 对该数组区中未被该...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。
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