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本发明公开了一种对非挥发存储器类产品进行失效模型建模的方法，包括以下步骤：步骤一：根据非挥发存储器类产品存储区域的电路结构和/或版图布局的特点，通过对非挥发存储器的操作过程中存储器阵列内电路节点状态的分析，建立起一张“失效模型-失效表征”真...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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