【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种用电压扫描配合位图对非挥发性存储器进行阈值电压评估的方法：定义存储数据0的存储管表现为负的阈值电压，存储数据1的存储管表现为正的阈值电压，首先在非挥发存储器中写入数据，向存储单元的栅极施加正电压或者负电压，同时读出存储器中的数据将其与最初写入的数据进行比较。且在此过程中，逐步增大向栅极施加的电压绝对值，若这个电压达到一定值，部分存储单元就会发生0和1之间的数据转换的情况，此时栅极的电压就是这部分存储单元的阈值电压。用位图工具记录下不同的电压值下发生0或1转换的存储单元的数量及其在存储器中所处的位置，即可得出存储器的阈值电压的分布情况。【专利说明】
本专利技术涉及半导体集成电路测试领域，特别是指一种。
技术介绍
非挥发性存储器(NVM:Non-Volatile Memory),是一种掉电后仍能保存数据的一种存储器，即存储器(注:本说明书中以下若简称存储器均指非挥发性存储器)内部存储的数据不会因为电源供电的中断而消失，在重新供电后，内部数据可以读出。 非挥发性存储器的存储内核(cell)是由一系列的位于字线及位线上的存储管存储管...
【技术保护点】
一种非挥发性存储器存储单元特性评估方法，对非挥发性存储器的存储单元存储管进行阈值电压扫描，所述非挥发性存储器能存储数据0和数据1两种数据，其特征在于：定义存储数据0的存储单元表现为负的阈值电压，存储数据1的存储单元表现为正的阈值电压；首先，对非挥发性存储器阵列进行数据0和1的写入；向所述存储单元的存储管栅极加正电压或者负电压，同时读出非挥发性存储器中的数据，并与最初写入的数据进行比较，在此过程中，逐步增大向栅极施加电压的绝对值；当施加到栅极电压绝对值到达一定值之后，所述存储单元的存储管会陆续发生0、1之间互相的数据翻转，发生数据翻转时栅极所加的电压值即为所对应的存储单元存储...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：罗旭，曾志敏，张雨田，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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