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本发明公开了一种用电压扫描配合位图对非挥发性存储器进行阈值电压评估的方法：定义存储数据0的存储管表现为负的阈值电压，存储数据1的存储管表现为正的阈值电压，首先在非挥发存储器中写入数据，向存储单元的栅极施加正电压或者负电压，同时读出存储器中的...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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