一种存储器包括存储器单元的阵列、第一模块和第二模块。第一模块被配置为比较存储器单元的第一状态与基准。存储器单元在存储器单元的阵列中。第二模块被配置为继存储器单元的读周期或写周期之后并且基于比较，重新形成存储器单元，以调整在存储器单元的第一状态和第二状态之间的差值。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利说明】[000。相关申请的香叉引用 本申请要求2013年10月22日提交的美国专利技术申请No. 14/059,790的优先权W 及2012年10月24日提交的美国临时申请No. 61/717, 894的权益。上面引用的申请的整 体公开内容通过引用方式并入于此。
本公开设及非易失性存储器，并且更具体地设及电阻存储器的形成。
技术介绍
本文中提供的背景描述是为了总体上给出本公开的上下文的目的。当前提名的发 明人的工作（到工作被描述在此背景部分中的程度）W及在提交时可能无法W其他方式有 资格作为现有技术的说明书各方面，既不明确也不暗示地被承认为抵触本公开内容的现有 技术。 非易失性存储器可W包括存储器单元的阵列。存储器单元中的每个存储器单元可 W具有多个电阻状态。诸如相变随机存取存储器（PRAM)、电阻随机存取存储器（RRAM)和 磁性随机存取存储器（MRAM)之类的某些非易失性存储器（本文中称为"电阻存储器"）包 括具有相应电阻的存储器单元。电阻中的每个电阻基于对应存储器单元的状态而改变。例 如，当存储'〇'时存储器单元可W具有第一（或低）电阻状态，并且当存储<1'时存储器单 元可W具有第二（或高）电阻状态。 作为第一示例，为了确定存储器单元的电阻状态，可W在存储器单元的电阻两端 施加电压。通过电阻的电流然后可被检测并且指示电阻状态。基于检测的电流，确定存储器 单元的电阻状态。作为另一示例，可W向存储器单元的电阻供应电流。电阻两端的电压然 后可被检测并且指示电阻状态。然后可W基于检测的电压来确定存储器单元的电阻状态。 电阻存储器通常只有一次"形成"能力。术语"形成"指的是电阻存储器中的存储 器单元的激活。在制造电阻存储器之后，电压可W施加于例如电阻存储器的位线，W激活存 储器单元。施加的电压可W大于在电阻存储器的读写操作期间向位线施加的电压。该电压 仅施加单次并且在执行任何读写操作之前。
技术实现思路
[000引提供了一种存储器，其包括存储器单元的阵列、第一模块和第二模块。第一模块被 配置为比较存储器单元的第一状态与基准。存储器单元在存储器单元的阵列中。第二模块 被配置为继存储器单元的读周期或写周期之后并且基于比较，重新形成（reform)存储器 单元，W调整在存储器单元的第一状态和第二状态之间的差值。 在其它特征中，基准是第二状态，并且第一模块被配置为确定在第一状态和第二 状态之间的差值。在又一些其它特征中，基准是预定阔值。 在其它特征中，第一模块被配置为确定在第一状态和第二状态之间的差值。第二 模块被配置为基于差值来重新形成存储器单元，w调整第一状态和第二状态。继存储器单 元的重新形成之后，在第一状态或第二状态之间的第二差值大于预定差值。 在其它特征中，第一模块被配置为确定在预定阔值和第一状态之间的第二差值， 并且确定在第二预定阔值和第二状态之间的第=差值。第二模块被配置为基于第二差值或 第=差值，重新形成存储器单元，W调整第一状态和第二状态。 在其它特征中，第一模块被配置为确定第一状态是否小于第一预定阔值或者第二 状态是否大于第二预定阔值。如果第一状态小于第一预定阔值或者第二状态大于第二预定 阔值，则第二模块被配置为重新形成存储器单元。 在其它特征中，第一状态指示存储器单元的第一电阻。第二状态指示存储器单元 的第二电阻。第二模块被配置为基于差值或比较，增加第一状态或减少第二状态。 在其它特征中，存储器包括第=模块。第二模块被配置为在重新形成存储器单元 的同时，经由第=模块向存储器单元施加电压或电流电平。 在其它特征中，提供了一种网络设备，其包括电阻存储器、第一模块和第二模块。 电阻存储器包括存储器单元的阵列。第一模块被配置为比较存储器单元的第一状态与基 准。存储器单元在存储器单元的阵列中。第二模块被配置为继存储器单元的读周期或写周 期之后并且基于比较，重新形成存储器单元，W调整在存储器单元的第一状态和第二状态 之间的差值。 在其它特征中，第一模块或第二模块中的至少一个模块实现在电阻存储器中。 在其它特征中，电阻存储器是第一电阻存储器。网络设备进一步包括第二电阻存 储器，第二电阻存储器包括存储器单元的第二阵列。第一模块被配置为确定在存储器单元 的第二阵列中的第二存储器单元的第=状态和第四状态之间的第=差值。第二模块被配置 为基于第=差值来重新形成第二存储器单元，W重置第=状态和第四状态，使得继第二存 储器单元的重新形成之后，在第=状态和第四状态之间的第四差值大于预定差值。 在其它特征中，提供了一种方法，其包括比较存储器单元的第一状态与基准。存储 器单元在存储器单元的阵列中。第一状态指示存储器单元的第一电阻。继存储器单元的读 周期或写周期之后并且基于比较，重新形成存储器单元，W调整在存储器单元的第一状态 和第二状态之间的差值。第二状态指示存储器单元的第二电阻。 本公开的适用性的其它方面将从详细描述、权利要求和附图中变得显而易见。详 细描述和具体示例旨在仅用于说明目的，并且不旨在于限制本公开的范围。【附图说明】 图1是依照本公开的并入具有测试模块的电阻存储器的网络设备的功能框图。 图2是依照本公开的并入电阻存储器和测试模块的网络设备的功能框图。 图3是依照本公开的并入具有电压转换器和测试模块的电阻存储器的网络设备 的功能框图。 图4是依照本公开的并入具有存储器单元的多个阵列和测试模块的电阻存储器 的网络设备的功能框图。 图5是依照本公开的并入重新形成模块和多个电阻存储器的网络设备的功能框 图。 图6图示依照本公开的操作网络设备的方法。 图7图示依照本公开的操作网络设备的另一方法。 在附图中，附图标记可被重新用于标识相似和/或相同的元件。【具体实施方式】[002引电阻存储器包括存储器单元的阵列。存储器单元中的每个存储器单元包括电阻， 电阻指示对应存储器单元的状态。电阻可W处于指示存储器单元正存储的高电阻状 态，或者可W处于指示存储器单元正存储的低电阻状态。在高电阻状态和低电阻状态之 间的电阻差值会随时间和存储器单元的循环使用而减少。继预定数目（例如10, 000)的电 阻存储器的存储器单元的读和/或写周期之后，在存储器单元的高和低电阻状态之间的对 应差值可W减少为小于预定差值。 当高和低电阻状态之间的差值小于预定差值时，电阻存储器的感测放大器或其它 检测电路可能不能够区分存储器单元的高和低电阻状态。该会造成读和/或写的不准确和 /或错误。具有小于预定差值的高和低电阻状态之间的差值的存储器单元可W被称为故障 存储器单元。故障存储器单元的输出可W被称为故障。 W下公开的示例允许存储器单元的重新形成，W重置存储器单元中的每个存储器 单元的电阻状态（例如，高和低电阻状态）之间的差值。重新形成可W包括如下面描述的 施加电压和/或电流电平，W增加第一电阻状态和减少第二电阻状态。增加第一电阻状态 可W包括增加存储器单元的电阻，W增加在第一电阻状态的读期间检测到的电压和/或电 流电平。减少第二电阻状态可W包括减少存储器单元的电阻，W减少在第二电阻状态的读 期间检测到的电压和/或电流电平。继重置之后，存储器单元中的每个存储器单元的电阻 状态之间的差值可W大于预定差值，并且可W与作为初始形成结果本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种存储器，包括：存储器单元的阵列；第一模块，被配置为比较存储器单元的第一状态与基准，其中所述存储器单元在存储器单元的所述阵列中；以及第二模块，被配置为继所述存储器单元的读周期或写周期之后并且基于所述比较，重新形成所述存储器单元，以调整在所述存储器单元的所述第一状态和第二状态之间的电阻的差值。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：P·苏塔尔德雅，A·吴，W·李，P·李，常润滋，
申请(专利权)人：马维尔国际贸易有限公司，
类型：发明
国别省市：巴巴多斯;BB
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。