【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于控制非易失性存储器的可靠性损失的方法和系统
本专利技术涉及用于控制非易失性存储器(NVM)的可靠性损失的方法和系统。更具体地,本专利技术涉及上述类型的方法和系统,其中,非易失性存储器包括在集成电路卡(ICC)中。
技术介绍
众所周知,集成电路卡(ICC)至少包括CPU、易失性存储器和非易失性存储器(NVM) οICC用于广泛类型的涉及不同设备的应用。例如,当用于电信应用时,ICC耦接至GSM/UMTS手持设备,该手持设备包括所称的人机接口,该人机接口允许用户管理ICC。ICC还可以在所称的机器对机器(M2M)应用中使用,其中,系统设备耦接至ICC,并且不提供人机接口。另外,ICC机器对机器(M2M)应用一般符合与并入手持设备的ICC相关的不同的硬件和/或软件要求,这取决于其服务的具体应用,例如:-报告建筑物中的电梯故障的应急ICC设备具有稳定的电源(voltagesupply),并且内部ICC例如几年持续通电;另外,ICC的可靠性要求应当非常高,因为假设ICC在几年内不会更换。-安装在用于电话呼叫的汽车设备内部的ICC设备还可以用于在汽车被盗或者汽车事故时生成警告;在这种情况下,ICC通常不连续供电,并且电源基本上不稳定。-存储ICC的燃气计量设备可以用于基于常规或者在特定事件下发送燃气计量测量结果;经由SMS或者数据协议自动发送这些信息。以上提到的所有应用(即诸如电信应用和M2M应用的人机应用)受到了这样的限制,ICC的非易失性存储器的可靠性损失不在应用层控制。清楚起见,下文报告可靠性损失的一些示例。数据保留的可靠性。非易失性存储器无法保证存 ...
【技术保护点】
一种用于控制包括在集成电路卡(ICC)中的非易失性存储器(NVM)的可靠性损失的方法,其特征在于:?在所述集成电路卡(ICC)的操作系统(OS)侧确定所述非易失性存储器(NVM)的部分是否可靠,?在所述操作系统(OS)侧生成与所述非易失性存储器(NVM)的可靠性相关联的事件,以及?如果所述非易失性存储器(NVM)的所述部分被确定为不可靠,则向所述集成电路卡(ICC)的应用发送所述事件。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.12.30 IT MI2010A0024721.一种用于控制包括在集成电路卡(ICC)中的非易失性存储器(NVM)的可靠性损失的方法,其特征在于: -在所述集成电路卡(ICC)的操作系统(OS)侧确定所述非易失性存储器(NVM)的部分是否可靠, -在所述操作系统(OS)侧生成与所述非易失性存储器(NVM)的可靠性相关联的事件,以及 -如果所述非易失性存储器(NVM)的所述部分被确定为不可靠,则向所述集成电路卡(ICC)的应用发送所述事件。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于包括步骤:由所述应用调用由所述操作系统(OS)提供的服务,以恢复所述非易失性存储器(NVM)的可靠性。3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,确定所述非易失性存储器(NVM)的所述部分的可靠性的步骤包括: -利用弱更新机制在所述非易失性存储器(NVM)的规定位置写入规定模式; -从所述非易失性存储器(NVM)的所述规定位置获取所存储的模式; -将所述规定模式与所 存储的模式进行比较, -如果所述规定模式与所存储的模式不同,则确定所述非易失性存储器(NVM)的所述部分被更改,其中所述事件是对数据保留的警告。4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述弱更新机制包括利用预定电子参数来对所述规定位置进行编程,根据所述预定电子参数,相对于所述非易失性存储器的其他存储器位置上的数据的保留,所述规定位置中的所述预定模式的保留被减少。5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述预定电子参数包括用于对所述规定位置进行编程的电压的应用的减少的时间和/或减少的编程电压。6.根据权利要求3-5中任一项所述的方法,其特征在于,由所述应用调用的服务用于刷新所述非易失性存储器(NVM)的数据。7.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,确定所述非易失性存储器(NVM)的所述部分的可靠性的步骤包括步骤: -检测所述非易失性存储器(NVM)的所述部分中的用于每个存储器单元或者单元的集合的写入访问, -更新所述非易失性存储器(NVM)的所述部分的规定位置的计数器值,所述非易失性存储器(NVM)的所述规定位置与所述存储器单元中的每一个或者所述单元的集合相对应, -将所述非易失性存储器(NVM)的所述规定位置的所述计数器值与第一预定值进行比较,以及 -如果所述非易失性存储器(NVM)的所述规定位置的所述计数器值超过所述第一预定值,则确定所述非易失性存储器(NVM)不可靠,其中所述事件是对最大数据更新的警告。8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,由所述应用调用的服务将每个存储器单元或者单元的集合标记为不...
【专利技术属性】
技术研发人员:A·维内罗索,F·瓦罗内,P·瓦斯塔诺,V·迪斯塔西奥,
申请(专利权)人:意法半导体国际有限公司,
类型:
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。