一种非挥发存储器读取可靠性的自检测电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种非挥发存储器读取可靠性的自检测电路；该自检测电路包括NVM存储电路、NVM影子存储电路、读取电路、影子读取电路，在NVM存储电路和读取电路工作的同时，使得影子NVM存储电路和影子读取电路也工作，并依照影子读取电路读出数据的正确与否，检测读取的NVM数据是否可靠有效；当影子读取电路读出数据正确时，检测读取的NVM数据可靠有效；当影子读取电路读出数据有错误时，检测读取的NVM数据无效；该自检测电路能够实时、有效检测读取数据的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及非挥发存储器领域，尤其是非挥发存储器读取可靠性的检测电路。
技术介绍
非挥发存储器(Non-Volatile Memory，简称为NVM存储器)中存储的数据为NVM数据，可以电擦除、写入，且具有掉电仍能长时间保持数据的特点，在目前智能卡芯片等领域获得广泛的应用;一般在NVM中会存储芯片识别号、系统程序等重要信息，一旦读取NVM中的数据发生错误，整个芯片的功能便会异常，发生诸如程序“死机”等错误，因而检测NVM数据是否处于可靠读取状态显得至关重要。典型的NVM数据读取可靠性的检测电路，在读取正常NVM数据前“预读”一段固定的数据，例如读一段循环码(CRC)数据来校验，“预读”通过了便认为NVM数据电路处于可靠的工作状态下，然后再进行正常的读取NVM数据操作;该检测电路对于稳定工作环境的NVM芯片，如电源电压稳定、没有强光干扰，具有很好的检测效果，但是对于工作环境不稳定的环境，如电源电压波动、周围强电磁场干扰，“预读”通过并不能保证接下来读取可靠性。基于“预读”检测电路的缺陷，在NVM芯片内部或者使用NVM芯片的系统中引入了很多的自检测电路，这些自检测电路由多种传本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非挥发存储器读取可靠性的自检测电路，其特征在于，该自检测电路包括NVM存储电路、NVM影子存储电路、读取电路、影子读取电路， NVM存储电路配置一个NVM影子存储电路，读取电路配置一个影子读取电路，读取电路读出NVM存储电路出错时，影子读取电路出错。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：马继荣，唐明，于海霞，
申请(专利权)人：北京同方微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11