本实用新型专利技术涉及一种非挥发存储器读取可靠性的自检测电路；该自检测电路包括NVM存储电路、NVM影子存储电路、读取电路、影子读取电路，在NVM存储电路和读取电路工作的同时，使得影子NVM存储电路和影子读取电路也工作，并依照影子读取电路读出数据的正确与否，检测读取的NVM数据是否可靠有效；当影子读取电路读出数据正确时，检测读取的NVM数据可靠有效；当影子读取电路读出数据有错误时，检测读取的NVM数据无效；该自检测电路能够实时、有效检测读取数据的可靠性。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及非挥发存储器领域，尤其是非挥发存储器读取可靠性的检测电路。
技术介绍
非挥发存储器(Non-Volatile Memory，简称为NVM存储器)中存储的数据为NVM数据，可以电擦除、写入，且具有掉电仍能长时间保持数据的特点，在目前智能卡芯片等领域获得广泛的应用;一般在NVM中会存储芯片识别号、系统程序等重要信息，一旦读取NVM中的数据发生错误，整个芯片的功能便会异常，发生诸如程序“死机”等错误，因而检测NVM数据是否处于可靠读取状态显得至关重要。典型的NVM数据读取可靠性的检测电路，在读取正常NVM数据前“预读”一段固定的数据，例如读一段循环码(CRC)数据来校验，“预读”通过了便认为NVM数据电路处于可靠的工作状态下，然后再进行正常的读取NVM数据操作;该检测电路对于稳定工作环境的NVM芯片，如电源电压稳定、没有强光干扰，具有很好的检测效果，但是对于工作环境不稳定的环境，如电源电压波动、周围强电磁场干扰，“预读”通过并不能保证接下来读取可靠性。基于“预读”检测电路的缺陷，在NVM芯片内部或者使用NVM芯片的系统中引入了很多的自检测电路，这些自检测电路由多种传感器来实现，如电源毛刺传感器电路、温度传感器电路、光传感器电路等，这些电路始终伴随着NVM芯片的工作而同步工作，一旦检测芯片的电源、温度、光等环境处于异常，报警给系统处理电路，报警后读取NVM数据直接被抛弃，从而达到了保护芯片的作用；传感器电路能够实时的检测并报警芯片的异常工作环境，对于检测NVM的读取可靠性具有较好的检测作用;但是，一方面传感器电路不能保证覆盖所有的芯片异常工作环境，在某些考虑不到的异常环境下，NVM电路仍会有读出错的概率;另一方面，传感器电路检测到芯片处于的异常工作环境，并不一定NVM电路会发生读出错，即会一定程度上牺牲NVM读性能。
技术实现思路
为了克服现有非挥发存储器NVM读取可靠性检测电路的不足，本技术提出了一种非挥发存储器读取可靠性自检测电路，该自检测电路不但可以实时检测读取数据的可靠性，而且可以直接有效判断读取的数据是否有出错。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是，一种非挥发存储器读取可靠性自检测电路，该自检测电路包括NVM存储电路、NVM影子存储电路、读取电路、影子读取电路，NVM存储电路配置一个NVM影子存储电路，读取电路配置一个影子读取电路，读取电路读出NVM存储电路出错时，影子读取电路出错。所述NVM存储电路配置一个NVM影子存储电路，是指NVM影子存储电路经配置将NVM存储电路的多个位置的映像存储在NVM影子存储电路的对应多个位置，致使NVM影子存储电路与NVM存储电路的器件结构和原理完全相同；而所述读取电路配置一个影子读取电路，是指影子读取电路经配置将读取电路的多个位置的映像存储在影子读取电路的对应多个位置，致使影子读取电路与读取电路的器件结构和原理完全相同。优选地，所述影子读取电路读出错时，判断读取电路的存储电路为不可靠状态，所述影子读取电路读正确时，判断读取电路的存储电路为可靠状态。本技术的有益效果是，实时检测读取数据的可靠性，可以直接有效判断读取数据是否有出错。下面结合附图和【具体实施方式】对本技术做进一步说明。【附图说明】图1是本技术的自检测电路原理图。图2是本技术的一个具体实施例自检测电路示意图。【具体实施方式】参看图1为本技术的电路原理图；图1中，10为自检测电路，11为NVM存储电路，12为读取电路，13为NVM影子存储电路，14为影子读取电路；当非挥发存储器NVM自检测电路检测时，NVM存储电路11配置有一个NVM影子存储电路13，读取电路12配置一个影子读取电路14，NVM影子存储电路13的NVM影子数据DATA_Sg过影子读取电路14输出00171_3到读取电路12，NVM存储电路11的NVM数据DATA经过读取电路12根据D0UT_S数值情况来判断输出D0UT数据;该NVM存储器自检测电路，若检测到NVM影子存储电路13都能被影子读取电路14正确读出，则判断NVM读取的NVM数据DATA不会出错，能够输出可靠有效的D0UT;该NVM存储器自检测电路，若检测到NVM影子存储电路13被影子读取电路14读取有出错发生，则判断NVM读取的NVM数据DATA可能会出错，测试输出的D0UT判断为无效;在检测实现中，由于NVM影子数据数据DATA电路存储原理相同，且影子读取电路和读取电路工作原理也相同，故该技术方案能够有效的实现对NVM的读取可靠性实现自检测目的。参看图2，为本技术一个具体实施例自检测电路示意图；20为该实施例的NVM存储器，11为NVM存储电路，12为读取电路，14为影子读取电路，13a为NVM影子存储电路01010011；当NVM存储器20自检测时，NVM存储电路11的NVM数据DATA输出到读取电路12中，NVM影子存储电路01010011的NVM影子数据DATA_Sg过影子读取电路14输出NVM影子数据D0UT_S到读取电路12中，读取电路12通过检测001]乙5的数据正确与否，判断此时NVM存储器20是否能够可靠读取数据；当NVM影子数据D0UT_SS01010011时，判断NVM存储器20此时可以可靠读取数据，此时输出NVM数据DATA所对应的D0UT数据；当D0UT_S不等于01010011时，判断此时该NVM存储器20为不可以可靠读取数据，通过读取电路12报警给系统，读取数据为不可靠数据。上述仅为本技术的具体实施例，本领域普通技术人员在不脱离本技术技术思路的基础上能有许多变形和变化，这些显而易见形成的技术方案也包含在本技术保护的技术范围内。【主权项】1.一种非挥发存储器读取可靠性的自检测电路，其特征在于，该自检测电路包括NVM存储电路、NVM影子存储电路、读取电路、影子读取电路，NVM存储电路配置一个NVM影子存储电路，读取电路配置一个影子读取电路，读取电路读出NVM存储电路出错时，影子读取电路出错。2.如权利要求1所述的非挥发存储器读取可靠性的自检测电路，其特征在于，所述影子读取电路读出错时，判断读取电路的存储电路为不可靠状态，所述影子读取电路读正确时，判断读取电路的存储电路为可靠状态。【专利摘要】本技术涉及一种非挥发存储器读取可靠性的自检测电路；该自检测电路包括NVM存储电路、NVM影子存储电路、读取电路、影子读取电路，在NVM存储电路和读取电路工作的同时，使得影子NVM存储电路和影子读取电路也工作，并依照影子读取电路读出数据的正确与否，检测读取的NVM数据是否可靠有效；当影子读取电路读出数据正确时，检测读取的NVM数据可靠有效；当影子读取电路读出数据有错误时，检测读取的NVM数据无效；该自检测电路能够实时、有效检测读取数据的可靠性。【IPC分类】G11C16/26【公开号】CN205140523【申请号】CN201520987165【专利技术人】马继荣, 唐明, 于海霞 【申请人】北京同方微电子有限公司【公开日】2016年4月6日【申请日】2015年12月2日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种非挥发存储器读取可靠性的自检测电路，其特征在于，该自检测电路包括NVM存储电路、NVM影子存储电路、读取电路、影子读取电路， NVM存储电路配置一个NVM影子存储电路，读取电路配置一个影子读取电路，读取电路读出NVM存储电路出错时，影子读取电路出错。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：马继荣，唐明，于海霞，
申请(专利权)人：北京同方微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11
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