存储器、包括该存储器的半导体器件及其测试方法技术

本发明专利技术公开了一种存储器，包括第一存储单元、第二存储单元、锁存单元和开关单元。锁存单元具有标准节点和互补节点。开关单元响应于第一控制信号和第二控制信号，并且开关单元被配置为：响应于第一控制信号，将第一存储单元连接至标准节点并将第二存储单元与互补节点的连接断开；响应于第二控制信号，将第二存储单元连接至互补节点并将第一存储单元与标准节点的连接断开。本发明专利技术也公开了一种包括该存储器的半导体器件。本发明专利技术还公开了一种测试该存储器的方法。

Memory, semiconductor device including the same and test method thereof

The invention discloses a memory, which comprises a first memory unit, a second memory unit, a latch unit and a switch unit. The latch unit has standard and complementary nodes. The switch unit in response to the first and second control signals, and the switch unit is configured to response to the first control signal, the first storage unit is connected to the standard node and the second storage unit and complementary node is disconnected; in response to a second control signal, the second storage unit is connected to the first storage node and complementary unit and standard node disconnection. The invention also discloses a semiconductor device including the memory. The invention also discloses a method for testing the memory.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般地涉及半导体
，更具体地，涉及存储器及其测试方法。
技术介绍
测试存储器的传统方法包括对存储器编程的操作和通过将存储器暴露于紫外线(UV)中来擦除存储器的操作。UV擦除操作花费大量的时间、降低了生产率并增大了制造成本。因此，期望提供一种最小化UV擦除操作次数的测试存储器的方法。
技术实现思路
为了克服现有技术中所存在的缺陷，根据本专利技术的一方面，提供了一种存储器，包括：第一存储单元；第二存储单元；锁存单元，具有标准节点和互补节点；以及开关单元，响应于第一控制信号和第二控制信号，并且所述开关单元被配置为：响应于所述第一控制信号，将所述第一存储单元连接至所述标准节点并将所述第二存储单元与所述互补节点的连接断开；响应于所述第二控制信号，将所述第二存储单元连接至所述互补节点并将所述第一控制单元与所述标准节点的连接断开。在该存储器中，所述开关单元包括连接在所述第一存储单元与所述标准节点之间的常闭开关和连接在所述第二存储单元与所述互补节点之间的另一常闭开关。该存储器还包括：接触件，所述开关单元还被配置为：响应于所述第一控制信号，将所述接触件连接至所述互补节点并将所述接触件与所述标准节点的连接断开；响应于所述第二控制信号，将所述接触件连接至所述标准节点并将所述接触件与所述互补节点的连接断开。在该存储器中，所述开关单元包括连接在所述接触件与所述标准节点之间的常开开关和连接在所述接触件与所述互补节点之间的另一常开开关。该存储器还包括：电流源电路，所述开关单元还被配置为：响应于所述第一控制信号，将所述电流源电路连接至所述互补节点并将所述电流源电路与所述标准节点的连接断开；响应于所述第二控制信号，将所述电流源电路连接至所述标准节点并将所述电流源电路与所述互补节点的连接断开。在该存储器中，所述开关单元包括连接在所述电流源电路与所述标准节点之间的常开开关和连接在所述电流源电路与所述互补节点之间的另一常开开关。根据本专利技术的另一方面，提供了一种半导体器件，包括：第一存储单元；锁存单元，具有第一节点；开关单元；以及控制单元，连接至所述开关单元并被配置为生成第一控制信号和第二控制信号，所述开关单元响应于所述第一控制信号和所述第二控制信号，并且所述开关单元被配置为：响应于所述第一控制信号，将所述第一存储单元连接至所述第一节点；响应于所述第二控制信号，将所述第一存储单元与所述第一节点的连接断开。在该半导体器件中，所述开关单元包括连接在所述第一存储单元与所述第一节点之间的常闭开关。该半导体器件还包括第二存储单元，其中，所述锁存单元还具有第二节点；以及所述开关单元还被配置为：响应于所述第二控制信号，将所述第二存储单元连接至所述第二节点；响应于所述第一控制信号，将所述第二存储单元与所述第二节点的连接断开。在该半导体器件中，所述开关单元包括连接在所述第二存储单元与所述第二节点之间的常闭开关。该半导体器件还包括：接触件，所述开关单元还被配置为：响应于所述第一控制信号，将所述接触件连接至所述第二节点并将所述接触件与所述第一节点的连接断开；响应于所述第二控制信号，将所述接触件连接至所述第一节点并将所述接触件与所述第二节点的连接断开。在该半导体器件中，所述开关单元包括连接在所述接触件与所述第一节点之间的常开开关和连接在所述接触件与所述第二节点之间的另一常开开关。该半导体器件还包括：电流源电路，所述开关单元还被配置为：响应于所述第一控制信号，将所述电流源电路连接至所述第二节点并将所述电流源电路与所述第一节点的连接断开；响应于所述第二控制信号，将所述电流源电路连接至所述第一节点并将所述电流源电路与所述第二节点的连接断开。在该半导体器件中，所述开关单元包括连接在所述电流源电路与所述第一节点之间的常开开关和连接在所述电流源电路与所述第二节点之间的另一常开开关。根据本专利技术的又一方面，提供了一种用于测试半导体存储器件的方法，所述方法包括：响应于第一控制信号，开关单元将第一存储单元连接至锁存单元的标准节点并将第二存储单元与所述锁存单元的互补节点的连接断开；以及响应于第二控制信号，所述开关单元将所述第二存储单元连接至所述互补节点并将所述第一存储单元与所述标准节点的连接断开。该方法还包括：响应于所述第一控制信号，所述开关单元将接触件连接至所述互补节点并将所述接触件与所述标准节点的连接断开；以及响应于所述第二控制信号，所述开关单元将所述接触件连接至所述标准节点并将所述接触件与所述互补节点的连接断开。该方法还包括：响应于所述第一控制信号，所述开关单元将电流源电路连接至所述互补节点并将所述电流源电路与所述标准节点的连接断开；以及响应于所述第二控制信号，所述开关单元将所述电流源电路连接至所述标准节点并将所述电流源电路与所述互补节点的连接断开。该方法还包括：响应于第一输入信号，控制单元生成所述第一控制信号；以及响应于第二输入信号，所述控制单元生成所述第二控制信号。该方法还包括：所述第一存储单元生成流至所述标准节点的单元电流；以及所述锁存单元生成电压、和对应于所述电压的输出信号。该方法还包括：所述第二存储单元生成流至所述互补节点的单元电流；
以及所述锁存单元生成电压、和对应于所述电压的输出信号。附图说明当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本专利技术。应该强调的是，根据工业中的标准实践，各种部件没有被按比例绘制并且仅仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增加或减少。图1是根据一些实施例的第一示例性半导体器件的电路原理图。图2是根据一些实施例的第二示例性半导体器件的电路原理图。图3是根据一些实施例的第三示例性半导体器件的电路原理图。图4是根据一些实施例的第四示例性半导体器件的电路原理图。图5是根据一些实施例的第五示例性半导体器件的电路原理图。图6是根据一些实施例的第一示例性测试器件的电路原理图。图7是根据一些实施例的第二示例性测试器件的电路原理图。图8是根据一些实施例的第三示例性测试器件的电路原理图。图9是根据一些实施例的第四示例性测试器件的电路原理图。图10是根据一些实施例的示出了开关单元的状态的电路原理图。图11是根据一些实施例的示出了开关单元的另一种状态的电路原理图。图12是根据一些实施例的测试半导体存储器件的第一示例性方法的流程图。图13是根据一些实施例的示出了开关单元的状态的电路原理图。图14是根据一些实施例的示出了开关单元的另一种状态的电路原理图。图15是根据一些实施例的测试半导体存储器件的第二示例性方法的流程图。图16是根据一些实施例的示出了开关单元的状态的电路原理图。图17是根据一些实施例的示出了开关单元的另一种状态的电路原理图。图18是根据一些实施例的测试半导体存储器件的第三示例性方法的流程图。图19是根据一些实施例的示出了开关单元的状态的电路原理图。图20是根据一些实施例的示出了开关单元的另一种状态的电路原理图。图21是根据一些实施例的测试半导体存储器件的第四示例性方法的流程图。图22是根据一些实施例的示出了开关单元的状态的电路原理图。图23是根据一些实施例的示出了开关单元的另一种状态的电路原理图。图24是根据一些实施例的测试半导体存储器件的第五示例性方法的流程图。具体实施方式以下公开内容提本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器，包括：第一存储单元；第二存储单元；锁存单元，具有标准节点和互补节点；以及开关单元，响应于第一控制信号和第二控制信号，并且所述开关单元被配置为：响应于所述第一控制信号，将所述第一存储单元连接至所述标准节点并将所述第二存储单元与所述互补节点的连接断开；响应于所述第二控制信号，将所述第二存储单元连接至所述互补节点并将所述第一控制单元与所述标准节点的连接断开。

【技术特征摘要】
2015.02.13 US 14/621,5211.一种存储器，包括：第一存储单元；第二存储单元；锁存单元，具有标准节点和互补节点；以及开关单元，响应于第一控制信号和第二控制信号，并且所述开关单元被配置为：响应于所述第一控制信号，将所述第一存储单元连接至所述标准节点并将所述第二存储单元与所述互补节点的连接断开；响应于所述第二控制信号，将所述第二存储单元连接至所述互补节点并将所述第一控制单元与所述标准节点的连接断开。2.根据权利要求1所述的存储器，其中，所述开关单元包括连接在所述第一存储单元与所述标准节点之间的常闭开关和连接在所述第二存储单元与所述互补节点之间的另一常闭开关。3.根据权利要求1所述的存储器，还包括：接触件，所述开关单元还被配置为：响应于所述第一控制信号，将所述接触件连接至所述互补节点并将所述接触件与所述标准节点的连接断开；响应于所述第二控制信号，将所述接触件连接至所述标准节点并将所述接触件与所述互补节点的连接断开。4.根据权利要求3所述的存储器，其中，所述开关单元包括连接在所述接触件与所述标准节点之间的常开开关和连接在所述接触件与所述互补节点之间的另一常开开关。5.根据权利要求1所述的存储器，还包括：电流源电路，所述开关单元还被配置为：响应于所述第一控制信号，将所述电流源电路连接至所述互补节点并将所述电流源电路与所述标准节点的连接断开；响应于所述第二控制信号，将所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭政雄，李谷桓，王志诚，陈中杰，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71