【技术实现步骤摘要】
大功率整流器件
本技术涉及一种大功率整流器件，属于半导体元器件领域。
技术介绍
整流器件是最基本的半导体器件，主要作用为将交流电转变为直流电，广泛应用于各种电子线路。现有的整流二极管器件体积较大，安装不方便，且安装时，容易造成环氧封装体与铜引线开裂，以及影响二极管芯片与铜引线焊接牢度。因此，如何设计一种安装方便且可靠性高的整流二极管器件，是本技术研究的问题。
技术实现思路
本技术提供一种大功率整流器件，该大功率整流器件增加了 PN结有效面积，从而显著降低二极管在电路中应用时的功耗，且增加器件的电流。为达到上述目的，本技术采用的技术方案是:一种大功率整流器件，包括二极管芯片、第一铜引线和第二铜引线；所述二极管芯片包括具有P区和N区的硅片衬底，所述P区周边覆盖保护膜层，P区中央为正极金属层，N区下表面为负极金属层，所述P区与N区为弧形接触面，所述二极管芯片为八角形状；所述第一铜引线，此第一铜引线一端为第一焊接区，此第一铜引线另一端作为整流二极管器件的阳极端子区；所述第二铜引线，此第二铜引线一端为第二焊接区，此第二铜引线另一端作为整流二极管器件的阴极端子区；位于...
【技术保护点】
一种大功率整流器件，其特征在于：包括二极管芯片（1）、第一铜引线（2）和第二铜引线（3）；所述二极管芯片（1）包括具有P区（91）和N区（92）的硅片衬底（9），所述P区（91）周边覆盖保护膜层（10），P区（91）中央为正极金属层，N区（92）下表面为负极金属层，所述P区（91）与N区（92）为弧形接触面（11），所述二极管芯片（1）为八角形状；所述第一铜引线（2），此第一铜引线（2）一端为第一焊接区（21），此第一铜引线（2）另一端作为整流二极管器件的阳极端子区（22）；所述第二铜引线（3），此第二铜引线（3）一端为第二焊接区（31），此第二铜引线（3）另一端作为整流二...
【技术特征摘要】
1.一种大功率整流器件，其特征在于:包括二极管芯片(I)、第一铜引线(2)和第二铜引线(3)； 所述二极管芯片(I)包括具有P区(91)和N区(92 )的硅片衬底(9 )，所述P区(91)周边覆盖保护膜层(10)，P区(91)中央为正极金属层，N区(92)下表面为负极金属层，所述P区(91)与N区(92)为弧形接触面(11)，所述二极管芯片(I)为八角形状； 所述第一铜引线(2)，此第一铜引线(2)—端为第一焊接区(21)，此第一铜引线(2)另一端作为整流二极管器件的阳极端子区(22)； 所述第二铜引线(3)，此第二铜引线(3)—...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗伟忠，华国铭，张建平，
申请(专利权)人：苏州锝耀电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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