片式整流元件制造技术

本实用新型专利技术揭示了一种片式整流元件，整流元件包括，壳体模块，包括上下依次层叠设置的上层绝缘封装体、中层绝缘封装体及基板，中层绝缘封装体包括四个第一通孔，每个第一通孔贯通中层绝缘封装体的上下表面；嵌设于壳体模块内的电路模块，包括，芯片模组，包括设置于基板与中层绝缘封装体之间的四个片状二极管芯片，芯片包括位于其上端面的上表面电极；导线模组，与芯片模组电性连接成桥式整流电路，导线模组包括第二导线、第三导线、及设置于上层绝缘封装体与中层绝缘封装体之间的四个第二电极，第二导线设置于第一通孔内并使上表面电极与第二电极电性连接，第三导线设置于上层绝缘封装体与中层绝缘封装体之间并电性连接第二电极。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种片式整流元件，属于表面片式元件

技术介绍
桥式整流电路常用于整流电路领域，其基本工作原理是利用二极管实现电流将周期性反向的交流电转换为同一方向的直流电，该过程被称为整流。在另一方面，现有的桥式整流电路一般集成在某种产品的电路设计。目前现有的整流元件通常设有金属导线架，而从导线架中引出铝导线作为元件引脚，其缺点如下：体积较大、厚度较厚，在现代社会对电子产品的体积要求越来越小的情况下，现有的整流元件已不太适应现代电子集成的小体积要求；这类元件内部的线路的复杂程度与生产难易程度形成矛盾，不能实现复杂的电路图形；再者，对于不同系列的产品，桥式整流电路需要通过现有的相同的桥式整流电路来重复设计，目前没有独立的通用的桥式整流电路模块，增大了设计复杂度。有鉴于此，有必要对现有的整流元件进行改进以解决上述问题。
技术实现思路
为至少解决上述技术问题之一，本技术的目的在于提供一种体积小、厚度薄、成本低的片式整流元件，还可实现不需要重复设计桥式整流电路和布局，缩短设计周期。为实现上述技术目的，本技术一实施方式提供了一种片式整流元件，所述整流元件包括，壳体模块，包括上下依次层叠设置的上层绝缘封装体、中层绝缘封装体及基板，所述中层绝缘封装体包括四个第一通孔，每个所述第一通孔贯通所述中层绝缘封装体的上下表面；嵌设于所述壳体模块内的电路模块，包括，芯片模组，包括设置于所述基板与所述中层绝缘封装体之间的四个片状二极管芯片，所述芯片包括位于其上端面的上表面电极；导线模组，与所述芯片模组电性连接成桥式整流电路，所述导线模组包括第二导线、第三导线、及设置于所述上层绝缘封装体与所述中层绝缘封装体之间的四个第二电极，所述第二导线设置于所述第一通孔内并使所述上表面电极与所述第二电极电性连接，所述第三导线设置于所述上层绝缘封装体与所述中层绝缘封装体之间并电性连接所述第二电极。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述芯片包括位于其下端面的下表面电极，所述导线模组还包括成型于所述基板上表面的四个第一电极，四个所述第一电极与四个所述芯片分别一一对应且电性连接于对应的所述下表面电极。作为本技术一实施方式的进一步改进，在竖直方向上，任意相对应的所述第一电极、所述第二电极和所述芯片的至少部分重叠设置。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述导线模组还包括成型于所述基板上表面的第一导线，所述第一导线按所述桥式整流电路电性连接所述第一电极。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述壳体模块包括设置于其侧壁处且向内凹陷的四个第二凹槽，所述第二凹槽沿竖直方向延伸并至少贯通所述中层绝缘封装体上表面与所述基板下表面，所述导线模组包括设置于所述第二凹槽内的第四导线，所述第三导线、所述第一导线分别于所述第二凹槽处电性连接所述第四导线。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述第二电极和所述第三导线设置为通过刻蚀工艺成型于所述中层绝缘封装体上表面的导电金属箔。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述导线模组还包括四个引出电极，所述引出电极设置为片状且贴附于所述基板的下表面。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述中层绝缘封装体包括位于其下表面的第一凹槽，所述芯片容置于所述第一凹槽内以使所述中层绝缘封装体包覆于所述芯片的外侧及上方。作为本技术一实施方式的进一步改进，每个所述第一通孔包括簇排设置的多个通孔单元，每个所述通孔单元里分别设置有所述第二导线。与现有技术相比，本技术具有以下有益技术效果：通过设置基板以及上层导线代替传统导线架结构，使片式整流桥元件体积缩小，满足现有电子器件体积越来越小的要求；通过上层导线使元件内部能实现拥有更复杂的电路图形，解决了电路图形与生产难度的矛盾，以便模块能在不增加原有外形尺寸的前提下拥有更复杂的电路图形，也就是说此结构能够进一步促进电子产品的轻薄化。附图说明图1是本技术一实施方式的片式整流元件的立体结构示意图；图2是本技术一实施方式的片式整流元件的分解俯视结构示意图；图3是本技术一实施方式的片式整流元件的分解仰视结构示意图；图4是本技术一实施方式的片式整流元件的分层剖视结构示意图；图5是本技术另一实施方式的片式整流元件的生产工艺流程图。具体实施方式以下将结合附图所示的具体实施方式对本技术进行详细描述。但这些实施方式并不限制本技术，本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本技术的保护范围内。需要理解的是，除非另有明确的规定和限定，在本技术的描述中，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。下面参考附图来描述根据本技术一实施例的片式整流元件。参看图1至图4，本技术一实施方式的片式整流元件100，包括壳体模块和电路模块。所述壳体模块设置为绝缘材料并用于支撑和保护所述电路模块。具体的，所述壳体模块包括上下依次层叠设置的上层绝缘封装体11、中层绝缘封装体12及基板13，所述上层绝缘封装体11、中层绝缘封装体12及基板13均采用绝缘材质。所述基板13包括相对设置的基板下表面132和基板上表面131，所述基板13可作为支撑体以在其表面布设电路图案。所述电路模块嵌设于所述壳体模块内，包括芯片模组21和导线模组，所述芯片模组21和所述导线模组电性连接并形成桥式整流电路。具体的，所述芯片模组21设置于所述基板13与所述中层绝缘封装体12之间，包括四个片状二极管芯片210，每个所述芯片210包括位于其上端面的上表面电极2101和位于其下端面的下表面电极2102，每个所述芯片210可通过所述上表面电极2101和所述下表面电极2102连入电路中，并利用其自身单项导通作用，将交流端输入的交流电转化为直流电流输出。所述导线模组包括引出电极2210、第一电极2211、第二电极2212、第一导线2221、第二导线2222、第三导线2223和第四导线2224。值得说明的是，每个所述第一导线2221、第二导线2222、第三导线2223、第四导线2224可分别包括一段或多段导电结构构成。所述引出电极2210设置为四个，四个所述引出电极2210形成所述整流元件100的四个端口，用于将所述整流元件100与外部导电线路电性连接，其中，四个所述引出电极2210中应包含两个交流电输入端口和两个直流电输出端口。每个所述引出电极2210由导电材料构成，并设置为正方形片状且贴附于所述基板下表面132，当然，也可根据实际情况或需要对所述引出电极2210的形状进行相应的修改。通过将所述引出电极2210设置为片状并贴附于所述基板下表面132，替代现有技术中的元件引脚，避免了引脚易断裂、易腐蚀的问题，保证了整流元件的结构稳定性，延长整理元件的使用寿命。所述第一电极2211采用导电材料通过印刷本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种片式整流元件，其特征在于，所述整流元件包括，壳体模块，包括上下依次层叠设置的上层绝缘封装体、中层绝缘封装体及基板，所述中层绝缘封装体包括四个第一通孔，每个所述第一通孔贯通所述中层绝缘封装体的上下表面；嵌设于所述壳体模块内的电路模块，包括，芯片模组，包括设置于所述基板与所述中层绝缘封装体之间的四个片状二极管芯片，所述芯片包括位于其上端面的上表面电极；导线模组，与所述芯片模组电性连接成桥式整流电路，所述导线模组包括第二导线、第三导线、及设置于所述上层绝缘封装体与所述中层绝缘封装体之间的四个第二电极，所述第二导线设置于所述第一通孔内并使所述上表面电极与所述第二电极电性连接，所述第三导线设置于所述上层绝缘封装体与所述中层绝缘封装体之间并电性连接所述第二电极。

【技术特征摘要】
1.一种片式整流元件，其特征在于，所述整流元件包括，壳体模块，包括上下依次层叠设置的上层绝缘封装体、中层绝缘封装体及基板，所述中层绝缘封装体包括四个第一通孔，每个所述第一通孔贯通所述中层绝缘封装体的上下表面；嵌设于所述壳体模块内的电路模块，包括，芯片模组，包括设置于所述基板与所述中层绝缘封装体之间的四个片状二极管芯片，所述芯片包括位于其上端面的上表面电极；导线模组，与所述芯片模组电性连接成桥式整流电路，所述导线模组包括第二导线、第三导线、及设置于所述上层绝缘封装体与所述中层绝缘封装体之间的四个第二电极，所述第二导线设置于所述第一通孔内并使所述上表面电极与所述第二电极电性连接，所述第三导线设置于所述上层绝缘封装体与所述中层绝缘封装体之间并电性连接所述第二电极。2.根据权利要求1所述的片式整流元件，其特征在于，所述芯片包括位于其下端面的下表面电极，所述导线模组还包括成型于所述基板上表面的四个第一电极，四个所述第一电极与四个所述芯片分别一一对应且电性连接于对应的所述下表面电极。3.根据权利要求2所述的片式整流元件，其特征在于，在竖直方向上，任意相对应的所述第一电极、所述第二电极和所述芯片的至少部分重叠设置。4.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘欣伦，马抗震，哈鸣，谷春垒，姚华民，
申请(专利权)人：禾邦电子中国有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32