一种双引线框架制造技术

本实用新型专利技术实施例公开了一种双引线框架，该双引线框架包括第一引线框架和第二引线框架，所述双引线框架还包括铆合结构，所述铆合结构设置于所述双引线框架中所述第一引线框架和所述第二引线框架的假流道区域内；所述假流道区域位于所述双引线框架中相邻两个注塑流道连线的垂直平分线上，且所述假流道区域的延伸方向与所述注塑流道的延伸方向平行。利用本实用新型专利技术提供的双引线框架，可以解决现有的双引线框架在半导体器件制作过程中出现变形及错位的问题。

【技术实现步骤摘要】

本技术实施例涉及半导体器件制造技术，尤其涉及一种双引线框架。
技术介绍
引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，起到与外部导线连接的桥梁的作用，同时兼顾散热和机械支撑等功能。随着集成电路相关制造工艺的发展，市场对高功率的集成电路半导体器件的需求也越来越大，对集成电路的散热能力要求也越来越高。目前，通常采用双引线框架制作该类半导体器件，以提高半导体器件在工作过程中的散热速率。图1a是现有技术中的一种双引线框架的结构示意图，图1b为图1a中双引线框架沿A1-A2的剖视图。如图1a和图1b所示，该双引线框架包含相互叠合的第一引线框架1和第二引线框架2，并且为了使得第一引线框架1和第二引线框架2之间能够紧密叠合，防止二者之间出现错位，往往会在第一引线框架1和第二引线框架2的边缘设置铆合结构3。但这种铆合后的双引线框架在后续工艺中容易出现中间鼓起、变形的不良现象，造成半导体器件的良率下降。
技术实现思路
本技术提供一种双引线框架，以实现解决现有的双引线框架在半导体器件制作过程中出现变形的问题。本技术实施例提供了一种双引线框架，该双引线框架包括第一引线框
架和第二引线框架；所述双引线框架还包括铆合结构，所述铆合结构设置于所述双引线框架中所述第一引线框架和所述第二引线框架的假流道区域内；所述假流道区域位于所述双引线框架中相邻两个注塑流道连线的垂直平分线上，且所述假流道区域的延伸方向与所述注塑流道的延伸方向平行。进一步地，所述铆合结构包括铆接孔和铆接卡脚；所述铆接孔位于所述第一引线框架上的所述假流道区域内，所述铆接卡脚位于所述第二引线框架上的所述假流道区域内，并且所述铆接孔和所述铆接卡脚位置相对应；或者，所述铆接孔位于所述第二引线框架上的所述假流道区域内，所述铆接卡脚位于所述第一引线框架上的所述假流道区域内，并且所述铆接孔和所述铆接卡脚位置相对应。进一步地，所述铆接孔的形状为长方形；所述铆接卡脚包括第一铆接卡脚和第二铆接卡脚，所述第一铆接卡脚和所述第二铆接卡脚相对设置，并且分别与所述铆接孔的两个短边相对应。进一步地，在同一假流道区域内，两个相邻的所述铆接孔的长边所在直线呈预设夹角设置。进一步地，所述预设夹角为90°。进一步地，所述双引线框架还包括定位结构，所述定位结构包括定位孔和定位凸起；所述定位孔位于所述第一引线框架上的所述假流道区域内，所述定位凸起位于所述第二引线框架上的所述假流道区域内，并且所述定位孔和所述定位凸
起位置相对应；或者，所述定位孔位于所述第二引线框架上的所述假流道区域内，所述定位凸起位于所述第一引线框架上的所述假流道区域内，并且所述定位孔和所述定位凸起位置相对应。进一步地，所述定位孔的形状为圆形、半圆形或多边形；所述定位凸起的形状与所述定位孔的形状相对应，且所述定位凸起的尺寸与所述定位孔的尺寸相对应。进一步地，所述定位结构与所述铆合结构沿所述假流道区域的延伸方向间隔设置。本技术实施例通过将铆合结构设置于双引线框架的假流道区域，解决现有技术中，由于将铆合结构设置于双引线框架的边缘，使得铆合后的双引线框架在后续工艺中容易出现中间鼓起、变形的不良现象，造成半导体器件的良率下降的问题，达到了提高半导体器件的良率的效果。附图说明图1a为现有技术中的一种双引线框架的结构示意图；图1b是图1a中提供的双引线框架沿A1-A2的剖面图图2a是本技术实施例一提供的一种双引线框架的第一引线框架的结构示意图；图2b是本技术实施例一提供的一种双引线框架的第二引线框架的结构示意图；图2c是图2a中提供的第一引线框架沿B1-B2的剖面图；图2d是图2b中提供的第二引线框架沿C1-C2的剖面图；图3a到3c为图2c和图2d中提供的双引线框架的铆合结构在铆合过程中三个状态的结构示意图；图4a是本技术实施例二提供的一种双引线框架的第一引线框架的结构示意图；图4b是本技术实施例二提供的一种双引线框架的第二引线框架的结构示意图；图4c是图4a中提供的第一引线框架沿D1-D2的剖面图；图4d是图4b中提供的第二引线框架沿E1-E2的剖面图；图5是图4c和图4d中提供的双引线框架的定位结构定位后的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本技术，而非对本技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本技术相关的部分而非全部结构。实施例一图2a为本技术实施例一提供的一种双引线框架的第一引线框架的结构示意图，图2b为本技术实施例一提供的一种双引线框架的第二引线框架的结构示意图，图2c是图2a中提供的第一引线框架沿B1-B2的剖面图，图2d是图2b中提供的第二引线框架沿C1-C2的剖面图。结合图2a到图2d，对本技术实施例一提供的双引线框架的结构进行详细说明。该双引线框架，包括第
一引线框架10和第二引线框架20，双引线框架还包括铆合结构，该铆合结构设置于该双引线框架中第一引线框架10和第二引线框架20的假流道区域11内；假流道区域11位于双引线框架中相邻两个注塑流道12连线的垂直平分线上，且假流道区域11的延伸方向与注塑流道12的延伸方向平行。需要说明的是，这里提到的双引线框架中第一引线框架10和第二引线框架20的假流道区域11是相对于注塑流道12而言的，具体如图2a和图2b所示，在双引线框架中第一引线框架10和第二引线框架20上对应位置均设置有注塑流道12，用于使得用作塑封料的环氧树脂能够流入到第一引线框架10和第二引线框架20之间的区域(图2a中的黑色箭头示出了环氧树脂流入到第一引线框架10和第二引线框架20之间的区域时的流向)，进而对注塑流道12两侧的两列半导体器件13进行封装。换言之，每条注塑流道12以及其两侧的两列半导体器件13构成一个重复单元，在相邻的两个重复单元之间的区域11不需要用作注塑流道，因此定义该区域为假流道区域。铆合结构包括铆接孔31和铆接卡脚32；在具体设置时，主要有两种设置方法：一种是，铆接孔31位于第一引线框架10上的假流道区域11内(如图2a所示)，铆接卡脚32位于第二引线框架20上的假流道区域11内(如图2b所示)，并且铆接孔31和铆接卡脚32位置相对应；另一种是，铆接孔31位于第二引线框架20上的假流道区域11内，铆接卡脚32位于第一引线框架10上的假流道区域11内，并且铆接孔31和铆接卡脚32位置相对应。需要说明的是，铆接卡脚32的长度应当略大于所述第一引线框架10的厚度。铆接孔的形状可以有多种，具体可以为圆形或多边形，铆接卡脚的数目为至少两个。优选是，如图2a至2d所示，铆接孔31的形状为长方形；铆接卡脚
32包括第一铆接卡脚321和第二铆接卡脚322，第一铆接卡脚321和第二铆接卡脚322相对设置，并且分别与铆接孔31的两个短边相对应。当第一引线框架10和第二引线框架20叠合时，如图3a所示，第二引线框架20上第一铆接卡脚321和第二铆接卡脚322均插入到第一引线框架10上的铆接孔31中。铆接时，如本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双引线框架，包括第一引线框架和第二引线框架，其特征在于：所述双引线框架还包括铆合结构，所述铆合结构设置于所述双引线框架中所述第一引线框架和所述第二引线框架的假流道区域内；所述假流道区域位于所述双引线框架中相邻两个注塑流道连线的垂直平分线上，且所述假流道区域的延伸方向与所述注塑流道的延伸方向平行。

【技术特征摘要】
1.一种双引线框架，包括第一引线框架和第二引线框架，其特征在于：所述双引线框架还包括铆合结构，所述铆合结构设置于所述双引线框架中所述第一引线框架和所述第二引线框架的假流道区域内；所述假流道区域位于所述双引线框架中相邻两个注塑流道连线的垂直平分线上，且所述假流道区域的延伸方向与所述注塑流道的延伸方向平行。2.根据权利要求1所述的双引线框架，其特征在于：所述铆合结构包括铆接孔和铆接卡脚；所述铆接孔位于所述第一引线框架上的所述假流道区域内，所述铆接卡脚位于所述第二引线框架上的所述假流道区域内，并且所述铆接孔和所述铆接卡脚位置相对应；或者，所述铆接孔位于所述第二引线框架上的所述假流道区域内，所述铆接卡脚位于所述第一引线框架上的所述假流道区域内，并且所述铆接孔和所述铆接卡脚位置相对应。3.根据权利要求2所述的双引线框架，其特征在于：所述铆接孔的形状为长方形；所述铆接卡脚包括第一铆接卡脚和第二铆接卡脚，所述第一铆接卡脚和所述第二铆接卡脚相对设置，并且分别与所述铆接孔的两个短边相对应。...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹周，李朋钊，
申请(专利权)人：杰群电子科技东莞有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44