一种基于单基岛SOT23引线框架的多芯片封装结构制造技术

本发明专利技术公开了一种基于单基岛SOT23引线框架的多芯片封装结构，包括SOT23通用引线框架，所述SOT23通用引线框架的上端面分别设置有第一芯片和第二芯片；其中，所述SOT23通用引线框架与所述第二芯片之间还设置有覆铜绝缘层；所述覆铜绝缘层包括依次水平贴装的绝缘胶层、绝缘基材层、铜箔层以及点胶层。本发明专利技术解决了通用SOT23封装引线框架单基岛无法实现多芯片封装，在生产环节无需增加其他设备也无需增加生产工装夹具，最大程度利用现有资源，节约成本。在市面上该方案为终端客户提供多芯片集成方案，实现成本及组装空间最小化，提高了产品竞争力。

【技术实现步骤摘要】
201610202660

【技术保护点】
一种基于单基岛SOT23引线框架的多芯片封装结构，其特征在于，包括SOT23通用引线框架，所述SOT23通用引线框架的上端面分别设置有第一芯片和第二芯片；其中，所述SOT23通用引线框架与所述第二芯片之间还设置有覆铜绝缘层；所述覆铜绝缘层包括依次水平贴装的绝缘胶层、绝缘基材层、铜箔层以及点胶层；所述绝缘基材层的耐热性为260℃～300℃，玻璃化温度Tg在130℃以上，热膨胀系数量级在10‑6。

【技术特征摘要】
1.一种基于单基岛SOT23引线框架的多芯片封装结构，其特征在于，包括SOT23通用引线框架，所述SOT23通用引线框架的上端面分别设置有第一芯片和第二芯片；其中，所述SOT23通用引线框架与所述第二芯片之间还设置有覆铜绝缘层；所述覆铜绝缘层包括依次水平贴装的绝缘...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘桂芝，付强，段世峰，
申请(专利权)人：无锡麟力科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32