本技术提供一种TOLL封装引线框架，包括多个沿X轴方向排列的结构单元、T型锁扣以及预压冲孔，其中所述结构单元中包括多个沿X轴方向并排设置的封装条，所述结构单元中相邻所述封装条之间设有注塑流道，所述封装条中包括多个沿Y轴方向排列设置的封装...

本发明提供一种基于工程设计的厚壳量子点的单光子源及其制备方法，该基于工程设计的厚壳量子点的单光子源包括激光光源、量子点微腔、偏振分束器、油浸物镜、第一和二偏振器及滤光器，其中，量子点微腔位于激光光源出射的激发光的光路上，量子微腔包括上下...

本发明提供一种晶圆测试系统及芯片测试方法，包括：上位机，产生测试激励和结果比对文本，文本包括激励时钟、数据及理论测试结果；测试机台，基于激励时钟及激励数据提供测试时钟及测试数据，并接收实际测试结果，将实际测试结果与理论测试结果进行比对；...

本发明提出一种异质结日盲探测器及其制备方法，异质结日盲探测器依次包括：基板、第一金属电极层、氧化镓层、氧化镓纳米片和单层石墨烯纳米片混合层、单层石墨烯层及第二金属电极层；混合层由氧化镓纳米片和填充于相邻氧化镓纳米片间隙中的单层石墨烯纳米...

本实用新型提供一种过筛的上料料盒，包括料盒本体、滤网及限流挡板，料盒本体用以储存物料，料盒本体的顶部及一侧面开口；滤网装设于料盒本体内并与料盒本体的底面间隔预设距离，滤网设有多个滤孔以过滤料盒本体内储存的物料上残留的碎屑；限流挡板活动连...

本发明提供一种基于硒化银纳米晶的近红外激光器及其制备方法，基于硒化银纳米晶的近红外激光器依次包括：基板、分布反馈光栅层及硒化银纳米晶层；硒化银纳米晶层由硒化银纳米晶组成，硒化银纳米晶为正方晶相，直径范围为6nm～10nm。本发明利用硒化...

本实用新型提供一种半自动封装系统，半自动封装系统包括：塑封装置、自动冲切装置及半自动冲切装置；塑封装置至少包括两台塑封压机，一台塑封压机用于对框架产品A自动塑封，另一台塑封压机用于对框架产品B手动塑封；自动冲切装置用于自动冲切框架产品A...

本发明提供一种电泵浦激光器及其制备方法，电泵浦激光器包括自下而上叠置的透光基板、分布反馈光栅层、第一导电注入层、量子结构层、第二导电注入层及反射电极层，量子结构包括硫硒化银合金核、包覆在所述硫硒化银合金核表面的硒化银壳和包覆在所述硒化银...

本发明提供一种负载开关的控制电路，包括电压调节模块、电荷泵、负载开关和采样支路；所述采样支路连接所述负载开关的控制端、所述负载开关的输出端和所述电压调节模块的反馈输入端；所述电压调节模块的电源端连接电源电压，所述电压调节模块的输出端连接...

本发明提供智能化的功率器件测试装置，包括测试基座，支撑座，凹槽，测试片，缓冲块，可调节旋转防尘板结构，调节现场探测检测灯管结构和抽拉式检测防混淆标记片结构，所述的测试基座底部螺钉连接有支撑座；所述的测试基座内部上侧左右两部均开设有凹槽；...

本发明提供低功耗的屏蔽栅半导体功率器件测试装置，包括测试台，支撑柱，底板，第一支撑板，斜T型滑槽，控制箱，可滑动插接防护座结构，可复位检测移动座结构，可转动除尘降温罩结构，倒L型遮挡板，检测模块，吸尘器，连接管，可支撑防晃定位架结构，滑...

本实用新型提供一种盖带送料装置，所述盖带送料装置包括机架(1)，设于所述机架(1)上的卷绕机构和导向件(2)；所述卷绕机构包括底座(3)、卷轴(4)和绕线盘(6)，所述卷轴(4)固定于所述底座(3)上，所述绕线盘(6)套设于所述卷轴(4...

本发明提供一种半自动封装系统及其封装方法，半自动封装系统包括：塑封装置、自动冲切装置及半自动冲切装置；塑封装置至少包括两台塑封压机，一台塑封压机用于对框架产品A自动塑封，另一台塑封压机用于对框架产品B手动塑封；自动冲切装置用于自动冲切框...

本发明提供改进的用于宽禁带半导体功率器件的测试装置，包括底部箱座，翻转中空箱盖，翻折拉伸板，端部支架，端部升降架结构，支撑挡板，半导体检测仪主体，收纳凹槽，导线固定架结构，接头更换架结构，翻转把手，锁扣，固定轴杆，插拔支撑架结构和定位插...

本发明提供一种电池充电均衡控制电路及电子产品，包括：第一电池与第二电池的串联；第一电阻的一端连接在第一电池与第二电池之间；第一高压晶体管并联在第一电池和第一电阻的两端，第二高压晶体管并联在第二电池和第一电阻的两端；逻辑控制模块，基于第一...

本实用新型提供一种零温漂电流源，包括：电流源产生模块，包括电流镜，第一、第二、第三三极管及第一电阻；第一三极管的集电极连接电流镜的第一端，第二三极管的集电极连接电流镜的第二端，第一三极管的基极连接第二三极管的基极及集电极，第一三极管的发...

本发明提供了一种NMOS功率管驱动电路，用于连接并控制NMOS功率管的工作状态，其特征在于，包括：栅极连接脉冲宽度调制信号的输入端PMOS管和输入端NMOS管，以及连接输入端PMOS管和输入端NMOS管的第一二极管、开关NMOS管、第一...

本发明提供了一种续流二极管电压补偿电路，其特征在于，其连接恒压开关电源电路并提高所述恒压开关电源电路输出电压的稳定性；其包括：补偿电路电阻、补偿电路二极管、电流源、放大器、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和补偿电路电容。本...

本实用新型涉及VDMOS器件技术领域，尤其涉及一种低导通电阻的中低压平面栅VDMOS器件及其制造工艺，该器件包括：包括N+型衬底、N‑型外延层、P型体区、栅极氧化层、多晶硅栅极、多晶硅栅注入窗口、低电阻区、N+有源区、P+有源区、介质层...

本实用新型公开了一种应急灯驱动电路，包括电源、高压开关电源驱动电路、低压开关电源驱动电路、功率管N1、功率管N2、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5、LED灯串、电容C1、地线1、地线2和变压器，所述变压器包括线...