一种用于智能芯片封装的引线框架制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于智能芯片封装的引线框架，包括框架，所述框架上设有若干基岛，所述基岛的背面其边缘固接沉台，所述基岛的背面设有V型槽。本结构的引线框架其基岛打凹深度的增加可以容纳尺寸更大的晶圆芯片，从而实现更强大的功能；本结构的引线框架通过在基岛背面边缘增加沉台，使得塑封料与引线框架的结合力的到了明显的改善，提高了产品的可靠性；本结构的引线框架通过在基岛背面增加V型槽防止了水汽的进入，使产品的质量更加稳定；本结构的引线框架采用级进打凹技术，内应力得到了更好的释放，从而使得基岛的共面性和打凹深度均符合要求并保持在稳定的范围内。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及智能芯片封装领域，尤其涉及一种用于智能芯片封装的引线框架。
技术介绍
芯片作为引线框架集成电路的重要组成部分，芯片尺寸的大小直接影响到产品的性能，而芯片的大小又取决于引线框架基岛的打凹深度。由于冲压技术的限制，市场上常见的SSOP集成电路引线框架打凹深度多在0.3mm左右。在其他因素相同的条件下，芯片尺寸越大，所能实现的功能也就越强大。国内市场上常见的SSOP集成电路引线框架打凹深度多在0.3mm左右，这就决定了配套使用的芯片的尺寸大小，从而限制了最终产品的性能。
技术实现思路
本技术的目的是解决现有技术的不足，提供一种窄间距的用于各种智能芯片封装的引线框架，从而实现承载更大芯片、实现更强大功能且其他性能稳定。本技术采用的技术方案是：一种用于智能芯片封装的引线框架，包括框架，所述框架上设有若干基岛，所述基岛的背面其边缘固接沉台，所述基岛的背面设有V型槽。作为本技术的进一步改进，所述基岛的打凹深度为0.5～1.1mm。作为本技术的更进一步改进，所述框架采用级进打凹技术加工而成。本技术采用的有益效果是：本结构的引线框架其基岛打凹深度的增加可以容纳尺寸更大的晶圆芯片，从而实现更强大的功能；本结构的引线框架通过在基岛背面边缘增加沉台，使得塑封料与引线框架的结合力的到了明显的改善，提高了产品的可靠性；本结构的引线框架通过在基岛背面增加V型槽防止了水汽的进入，使产品的质量更加稳定；本结构的引线框架采用级进打凹技术，内应力得到了更好的释放，从而使得基岛的共面性和打凹深度均符合要求并保持在稳定的范围内。附图说明图1为本技术示意图。图2为本技术基本单元结构示意图。图3为图2中A处的局部示意图。图4为图3中B-B线剖视图。图中所示：1 框架，2 基岛，3 沉台，4 V型槽。具体实施方式下面结合图1至图4，对本技术做进一步的说明。如图所示，一种用于智能芯片封装的引线框架，包括框架1，所述框架1上设有若干基岛2，所述基岛2的背面其边缘固接沉台3，所述基岛的背面设有V型槽4。为确保本引线框架可以容纳尺寸更大的晶圆芯片，所述基岛2的打凹深度为0.5～1.1mm。在生产中发现，由于打凹深度的加深，一次成型使得基岛的共面性波动较大，打凹深度不稳定，有回弹现象。经过总结和讨论，决定采取级进打凹技术，分多次成型，最终使得内应力得到了有效的释放，获得了稳定的产品；同时在后续封装的过程中发现，塑封料与框架的结合力不足，塑封体不牢且有水汽进入。为了改善上述问题，决定在基岛背面边缘制作成沉台、基岛背面增加V型槽。本结构的引线框架其基岛打凹深度的增加可以容纳尺寸更大的晶圆芯片，从而实现更强大的功能；本结构的引线框架通过在基岛背面边缘增加沉台，使得塑封料与引线框架的结合力的到了明显的改善，提高了产品的可靠性；本结构的引线框架通过在基岛背面增加V型槽防止了水汽的进入，使产品的质量更加稳定；本结构的引线框架采用级进打凹技术，内应力得到了更好的释放，从而使得基岛的共面性和打凹深度均符合要求并保持在稳定的范围内。本领域技术人员应当知晓，本技术的保护方案不仅限于上述的实施例，还可以在上述实施例的基础上进行各种排列组合与变换，在不违背本技术精神的前提下，对本技术进行的各种变换均落在本技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于智能芯片封装的引线框架，其特征是包括框架（1），所述框架上设有若干基岛（2），所述基岛（2）的背面其边缘固接沉台（3），所述基岛的背面设有V型槽（4）。

【技术特征摘要】
1.一种用于智能芯片封装的引线框架，其特征是包括框架（1），所述框架上设有若干基岛（2），所述基岛（2）的背面其边缘固接沉台（3），所述基岛的背面设有V型槽（4）。2.根据权利要求1所述的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐文东，向华，张海龙，孙家兴，马春晖，王友明，
申请(专利权)人：铜陵丰山三佳微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34