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本实用新型公开了一种可提高反向击穿电压的斜沟槽肖特基势垒整流器件，包括：半导体基板，半导体基板的上部为第一导电类型漂移区，其表面为第一主面，半导体基板下部为第一导电类型衬底，其表面为第二主面；第一主面上设置有至少一个斜沟槽，斜沟槽延伸进入到...
该专利属于张家港凯思半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过张家港凯思半导体有限公司授权不得商用。

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