场效应半导体器件制造技术

本实用新型专利技术提供了一种场效应半导体器件，包括：发射极；以及半导体主体，其中，该半导体主体包括：第一基区，具有第一导电类型；源极区，具有与第一导电类型不同的第二导电类型并与第一基区形成第一pn结；以及至少一个沟槽，其中，该至少一个沟槽填充有栅电极，且其中，该至少一个沟槽具有第一沟槽部分和第二沟槽部分，第一沟槽部分具有第一宽度，第二沟槽部分具有第二宽度，第二宽度不同于第一宽度；栅极绝缘部，部分与第一基区相邻，其中，第一基区的与栅极绝缘部接触的界面是{100}等效晶面。采用该半导体器件，能够获得在沟道区附近的良好限定且长期稳定的半导体层与电介质层之间的界面。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种场效应半导体器件（20、30、40），其特征在于，包括：发射极；以及半导体主体，其中，所述半导体主体包括：第一基区（24、34、44），具有第一导电类型；源极区（25、35、45），具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型并与所述第一基区（24、34、44）形成第一pn结；以及至少一个沟槽，其中，所述至少一个沟槽填充有栅电极，且其中，所述至少一个沟槽具有第一沟槽部分（261）和第二沟槽部分（262），所述第一沟槽部分（261）具有第一宽度，所述第二沟槽部分（262）具有第二宽度，所述第二宽度不同于所述第一宽度；栅极绝缘部（27），部分与所述第一基区（24、34、44）相邻，其中，所述第一基区的与所述栅极绝缘部接触的界面是{100}等效晶面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：弗兰克·普菲尔什，汉斯约阿希姆·舒尔茨，霍尔格·豪斯肯，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：