具有嵌入填料颗粒的半导体器件和相关的制造方法技术

本公开的实施例涉及具有嵌入的填料颗粒的半导体器件和相关的制造方法。一种半导体器件包括芯片载体和布置在芯片载体上的半导体芯片。此外，半导体器件包含布置在芯片载体和半导体芯片之间的中间层以及至少部分地包封半导体芯片的包封材料。在中间层或包封材料中的至少一者中嵌入有填料颗粒，其中填料颗粒包括带隙在从2.3eV至3.6eV范围内的半导体材料。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及具有嵌入的填料颗粒的半导体器件和相关的制造方法。

技术介绍

1、在半导体器件中，工作期间各个器件组件之间可能会出现高电压差。例如，在电流传感器中，汇流排和布置在其上方的传感器芯片之间可能出现升高的电势差。根据材料特性和器件组件的相对布置，增加的电压差可能导致器件的特定空间区域中产生极高的电场强度。布置在那里的器件部件可能由于高电场强度而受到磨损，这在最坏的情况下可能导致器件故障。半导体器件制造商和开发商不断努力改进他们的产品。延长器件的使用寿命并确保其持续安全运行可能特别令人感兴趣。

技术实现思路

1、各个方面涉及一种半导体器件。该半导体器件包括芯片载体和布置在芯片载体上的半导体芯片。半导体器件还包括布置在芯片载体和半导体芯片之间的中间层以及至少部分地包封半导体芯片的包封材料。该半导体器件还包括嵌入在中间层或包封材料中的至少一者中的填料颗粒。填料颗粒包括带隙在2.3ev至3.6ev范围内的半导体材料。

2、各个方面涉及半导体器件。半导体器件包括芯片载体和布置在芯片载体上的半导体芯片。半导本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述填料颗粒(18)包括氧化锌或碳化硅中的至少一者。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中所述填料颗粒(18)被设计用于：在电场强度上升到大于5V/μm的值时，将所述中间层(16)的电导率或所述包封材料(12)的电导率中的至少一者增加到从10-16S/m至10-2S/m的范围中。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述电导率的增加被设计用于：降低在所述填料颗粒(18)的位置处的电场强度。

5.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件，其中所述中间层(16)或所...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述填料颗粒(18)包括氧化锌或碳化硅中的至少一者。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中所述填料颗粒(18)被设计用于：在电场强度上升到大于5v/μm的值时，将所述中间层(16)的电导率或所述包封材料(12)的电导率中的至少一者增加到从10-16s/m至10-2s/m的范围中。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述电导率的增加被设计用于：降低在所述填料颗粒(18)的位置处的电场强度。

5.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件，其中所述中间层(16)或所述包封材料(12)中的至少一者中的所述填料颗粒(18)的份额具有在从1重量百分比至99重量百分比的范围内的值。

6.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件，其中所述填料颗粒(18)具有在从1μm至300μm的范围内的最大尺寸。

7.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件，其中所述填料颗粒(18)布置在一区域中，在所述区域中，电场强度基于所述半导体芯片(4)、所述中间层(16)、所述芯片载体(2)或所述包封材料(12)中的至少一者的几何形状而增加。

8.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件，其中所述填料颗粒(18)被布置在所述半导体芯片(4)的边缘或尖端中的至少一者处。

9.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·迈尔，R·沙勒，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：