场效应管制造技术

本实用新型专利技术涉及电子元器件领域，公开了一种场效应管，包括绝缘基座、安装与所述绝缘基座上的第一引脚、第二引脚和第三引脚、位于所述绝缘基座内的芯片，所述第一引脚与所述芯片的D极连接，所述第二引脚与所述芯片的S极连接，所述第三引脚与所述芯片的G极连接，所述绝缘基座的上表面和下表面均设有用于承载的凸台。所述凸台为梯形台。本实用新型专利技术所述的场效应管，具有承载能力，使得与其他电子元件连接使用时，不容易断开。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种场效应管，包括绝缘基座（1）、安装与所述绝缘基座（1）上的第一引脚（2）、第二引脚（3）和第三引脚（4）、位于所述绝缘基座（1）内的芯片（5），所述第一引脚（2）与所述芯片（5）的D极连接，所述第二引脚（3）与所述芯片（5）的S极连接，所述第三引脚（4）与所述芯片（5）的G极连接，其特征在于：所述绝缘基座（1）的上表面和下表面均设有用于承载的凸台（6）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李传南，
申请(专利权)人：无锡信怡微电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：