绝缘栅双极型晶体管制造技术

本实用新型专利技术提供一种绝缘栅双极型晶体管，包括集电极、栅电极、发射极及半导体本体，该半导体本体包括：体区，具有第一导电类型；源区，具有与第一导电类型不同的第二导电类型，与体区形成第一pn结；漂移区，具有第二导电类型并位于体区的与发射极侧相反的一侧且与体区形成第二pn结；至少一个第一沟槽，形成在半导体本体表面上延伸至漂移区且与栅电极接触，至少一个第一沟槽具有第一沟槽部分和第二沟槽部分，第一沟槽部分具有第一宽度第二沟槽部分具有与第一宽度不同的第二宽度；至少一个第二沟槽形成在半导体本体表面上延伸至漂移区且与发射极接触。通过将多个沟槽中一些接触发射极而非栅电极可降低栅极-发射极电容并增加发射极-集电极电容。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
绝缘栅双极型晶体管
本技术涉及一种半导体器件，更具体地，涉及一种绝缘栅双极型晶体管。
技术介绍
绝缘栅双极型晶体管(IGBT:1nsulated Gate Bipolar Transistor)是由金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET:Metal-0xide-Semiconductor Field-EffectTransistor)和双极型晶体管(BJT:Bipolar Junction Transistor)复合而成的半导体器件，其兼具这两种器件的优点，既具有MOSFET的驱动功率小和开关速度快的优点，又具有BJT的通态压降低且电流能力大的优点。因此，近年来IGBT已经广泛应用于诸如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等需要进行电力转换的领域。图1示出了现有的IGBT的一个实例。如图1所示，IGBT10被示出为具有沟槽栅场终止型结构，其包括顺次层叠的P型集电区ll、n型场终止区12、n-型漂移区13、p型基区14以及η+型源区15，以及形成在η-型漂移区13、ρ型基区14以及η+型源区15中的栅极16和栅氧化层17。进一步地，在图1所示的IGBT10中，栅极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种绝缘栅双极型晶体管（20,30,40,50），包括集电极（C）、栅电极（32）、发射极（29）以及半导体本体（31），其特征在于，所述半导体本体（31）包括：?体区（24），具有第一导电类型；?源区（25），具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型，并且与所述体区（24）形成第一pn结；?漂移区（23），具有所述第二导电类型，并位于所述体区（24）的与所述发射极侧相反的一侧并且与所述体区（24）形成第二pn结；?至少一个第一沟槽（26a，26c），形成在所述半导体本体（31）的表面上，延伸至所述漂移区（23）并且与所述栅电极（32）接触，并且其中，所述至少一个第一沟槽（26a，26c）具有...

【技术特征摘要】
1.一种绝缘栅双极型晶体管(20，30，40，50)，包括集电极(C)、栅电极(32)、发射极(29)以及半导体本体(31)，其特征在于，所述半导体本体(31)包括: 体区(24)，具有第一导电类型； 源区(25)，具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型，并且与所述体区(24)形成第一 pn结； 漂移区(23)，具有所述第二导电类型，并位于所述体区(24)的与所述发射极侧相反的一侧并且与所述体区(24)形成第二 pn结； 至少一个第一沟槽(26a, 26c),形成在所述半导体本体(31)的表面上,延伸至所述漂移区(23)并且与所述栅电极(32)接触，并且其中，所述至少一个第一沟槽(26a，26c)具有第一沟槽部分(261a，261c)和第二沟槽部分(262a，262c)，所述第一沟槽部分(261a，261c)具有第一宽度，所述第二沟槽部分(262a，262c)具有与所述第一宽度不同的第二宽度；以及 至少一个第二沟槽(26b，26d)，形成在所述半导体本体(31)的表面上，延伸至所述漂移区(23 )并且与所述发射极(29 )接触。2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管(20，30，40，50)，其特征在于，所述至少一个第二沟槽(26b，26d)包括: 第一部分(261b, 261d),具有所述第一宽度；以及 第二部分(262b，262d)，具有所述第二宽度。3.根据权利要求2所述的绝缘栅双极型晶体管(20，30，40，50)，其特征在于，在所述绝缘栅双极型晶体管(30)的垂直方向上，所述第二沟槽部分(262a，262b，262c, 262d)布置在所述第一沟槽部分(261a，261b，261c, 261d)下方，并且其中，在所述绝缘栅双极型晶体管(20,30,40,50)的横向方向上,所述第二宽度大于所述第一宽度。4.根据权利要求1至3中任一项所述的绝缘栅双极型晶体管(20，30，40，50)，其特征在于，沿着所述第一沟槽部分(261a，261b，261c，261d)，所述第一沟槽部分的所述第一宽度—致。5.根据权利要求1至3中任一项所述的绝缘栅双极型晶体管(20，30，40，50)，其特征在于，所述至少一个第一沟槽和所述至少一个第二沟槽都包括将电极(26)至少与所述源区(25)以及所述体区(24，34)电绝缘的绝缘层(27)。6.根据权利要求1至3中任一项所述的绝缘栅双极型晶体管(20，30，40，50)，其特征在于，所述第一沟槽部分(261a，261b，261c, 261d)邻近所述体区(24)，所述第二沟槽部分(262a，262b，262c，262d)邻近所述体区(24)和所述漂移区(23)。7.根据权利要求1至3中任一项所述的绝缘栅双极型晶体管(20，30，40，50)，其特征在于，所述第一沟槽部分(261a，261b，261c，261d)邻近所述体区(24)和所述漂移区(23)，所述第二沟槽部分(262a，262b，262c，262d)邻近所述体区(24)。8.根据权利要求1至3中任一项所述的绝缘栅双极型晶体管(20，30，40，50)，其特征在于，所述至少一...

【专利技术属性】
技术研发人员：霍尔格·豪斯肯，汉斯约阿希姆·舒尔茨，弗兰克·普菲尔什，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：实用新型
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