半导体器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半导体器件。所述器件具有分离沟槽栅结构。该分离沟槽栅结构包括一个屏蔽电极和两个栅电极，其中屏蔽电极的大部分位于栅电极之下，屏蔽电极的剩余部分位于两个栅电极之间，延伸到器件的顶面。该器件进一步包括源金属层，在器件顶面与初始层，阱区，源区和屏蔽电极接触，其中源金属层与初始层的接触形成了集成的肖特基二极管。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
半导体器件
本技术涉及半导体器件领域，特别是涉及半导体功率器件。
技术介绍
随着电子技术的不断发展，反相放大器电路被广泛应用于电子设备中。通常，反相放大器电路会受到密勒效应的影响。密勒效应与反相放大器电路的等效输入电容有关。当反相放大器的输入端和输出端之间存在电容时，由于放大器的放大作用，等效输入电容在输出端会被放大1+Av倍，其中Av为放大器的增益。该效应的存在会使放大器的高频性能恶化。分离沟槽栅金属氧化物半导体场效应管被设计出来，用于减轻密勒效应的影响。如图1所示，分离沟槽栅MOSFET器件10通常在栅区结构中包含两个电极。第一电极为MOSFET栅电极101，用于控制MOSFET器件中沟道的建立，第二电极为屏蔽电极102，用于降低漏区103和栅电极101之间的电容Cgd。然而，由于屏蔽电极102通常会延伸到器件表面并在位于器件边缘的终止区与接触垫110相连。由于通常接触垫110的面积较大，MOSFET器件10可能会占据很大的晶片面积，同时屏蔽电极102的存在亦可产生较大的串联电阻，使得MOSFET的安全工作区(SOA)受限。
技术实现思路
针对现有技术中的一个或多个问题，本技术提本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，具有顶面和底面，其特征在于，所述半导体器件包含：?半导体初始层，所述半导体初始层具有第一导电类型；?阱区，形成于所述半导体初始层的一部分之上，所述阱区具有第二导电类型，所述阱区包含至少两个阱区部分，所述半导体初始层的一部分位于所述两个阱区部分之间并延伸到所述器件顶面；?分离沟槽栅结构，包含一个屏蔽电极和两个栅电极，其中所述屏蔽电极的大部分位于两个栅电极的下方，所述屏蔽电极的剩余部分位于两个栅电极之间并延伸到所述器件顶面；?源区，形成于阱区之内，所述源区紧靠所述分离沟槽栅结构，所述源区具有第一导电类型；和?源金属层，在所述器件顶面与所述初始层、所述阱区、所述屏蔽电极和所述源区接触...

【技术特征摘要】
2012.06.12 US 13/494,5721.一种半导体器件，具有顶面和底面，其特征在于，所述半导体器件包含: 半导体初始层，所述半导体初始层具有第一导电类型； 阱区，形成于所述半导体初始层的一部分之上，所述阱区具有第二导电类型，所述阱区包含至少两个阱区部分，所述半导体初始层的一部分位于所述两个阱区部分之间并延伸到所述器件顶面； 分离沟槽栅结构，包含一个屏蔽电极和两个栅电极，其中所述屏蔽电极的大部分位于两个栅电极的下方，所述屏蔽电极的剩余部分位于两个栅电极之间并延伸到所述器件顶面； 源区，形成于阱区之内，所述源区紧靠所述分离沟槽栅结构，所述源区具有第一导电类型；和 源金属层，在所述器件顶面与所述初始层、所述阱区、所述屏蔽电极和所述源区接触，其中所述源金属层与所述初始层在所述器件顶面接触形成一肖特基二极管。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述源金属层与位于所述器件顶面的所述初始层、所述阱区、所述屏蔽电极以及所述源区完全接触。3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述分离沟槽栅结构进一步包括绝缘材料层，其中所述分离沟槽栅结构的侧墙和底部覆盖所述绝缘材料层，所述屏蔽电极和所述两个栅电极被所述绝缘材料层相互隔离。4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件具有连续结构，所述连续结构在水平面上沿着垂直于分离沟槽栅结构走向的延伸方向复制，其中每个所述分离沟槽栅结构 在所述延伸方向上位于相邻两个所述阱区之间。5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，每个所述肖特基二极管在所述延伸方向上位于相邻两个所述分离沟槽栅结构之间...

【专利技术属性】
技术研发人员：李铁生，马荣耀，张磊，
申请(专利权)人：成都芯源系统有限公司，
类型：实用新型
国别省市：