氮化物半导体晶体管制造技术

本发明专利技术提供一种氮化物半导体晶体管，该氮化物半导体晶体管具备：异质结层(124)，其层叠了极化互不相同的多个氮化物半导体层；和栅电极(113)，其形成在异质结层(124)之上。在异质结层与栅电极之间形成有具有p型的导电性、并使空穴电流流过且抑制电子电流的电子电流抑制层(125)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本
技术实现思路
涉及氮化物半导体晶体管。
技术介绍
以氮化镓(GaN)为代表的III族氮化物半导体(以下简称为氮化物半导体)具有宽带隙以及高绝缘破坏电场之类的超越硅(Si)、神化镓(GaAs)的优良物性值，因而有希望被作为在高输出晶体管中使用的新材料。氮化物半导体通过改变其混晶比率，由此能够自由地改变带隙。例如，在使AlGaN、GaN之类的带隙互不相同的氮化物半导体层接合的AlGaN/GaN异质构造(heterostrcture)中，在结晶取向的(0001)面上由于自发极化以及压电极化而使得在异质界面产生电荷，因而即便在未掺杂时也能够获得IXlO13cnT2以上的片载流子浓度(sheet carrier concentration)。为此,将在该异质界面产生的电荷用 作沟道的异质结场效应晶体管(Hetero-junction Field Effect Transistor :HFET),由于能够实现高的电流密度，因而可进行高输出化，尤其在研究开发方面较为盛行。本申请专利技术者们迄今为止提出了从栅电极向沟道注入空穴，进而能驱动漏极电流的这种栅极注入型晶体管(GIT)，并进行了开发(例如本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：泷泽俊幸，上田哲三，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：
国别省市：