【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
场效应型晶体管作为半导体存储器集成电路的单位电子元件、高频信号放大元件、液晶驱动用元件等被广泛使用，目前，为最实用化的电子器件。其中，随着近年的显示装置的发展，不仅液晶显示装置(LCD)，而且在电致发光显示装置(EL)、场发射显示器(FED)等各种显示装置中，作为对显示元件施加驱动电压使显示装置驱动的开关元件，多用薄膜晶体管(TFT)。 在大型液晶显示装置的液晶驱动用晶体管中，目前一直使用非晶硅系半导体薄膜。但是，随着近年来更大型化、高精细化的要求，非晶硅中迁移率不足，因此，逐渐不能及时进行图像的写入。另外，关于有机电致发光(有机EL)显示器，在大型化技术的进展中，相对于背板，也要求大面积、均匀且高迁移率更高的材料。因此，作为可以像非晶硅系半导体薄膜那样大面积化、次于晶体硅而迁移率较高的材料，由金属氧化物构成的透明半导体薄膜、特别是由氧化铟、氧化锌、氧化镓构成的氧化物半导体薄膜受到关注。目前，为了控制膜的电气特性，用于TFT活性层的氧化物半导体膜普遍在导入有氧气的氛围中成膜。但是，存在由于氧分压的稍微振动，膜中的载流子浓度较大地变化，...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：西村麻美，笘井重和，矢野公规，笠见雅司，糸濑将之，松崎滋夫，江端一晃，
申请(专利权)人：出光兴产株式会社，
类型：
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。