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本发明提供一种氮化物半导体晶体管，该氮化物半导体晶体管具备：异质结层(124)，其层叠了极化互不相同的多个氮化物半导体层；和栅电极(113)，其形成在异质结层(124)之上。在异质结层与栅电极之间形成有具有p型的导电性、并使空穴电流流过且抑...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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