氮化物晶体衬底的制造方法和氮化物晶体衬底技术

技术编号：45058252 阅读：2 留言：0更新日期：2025-04-22 17:41

氮化物晶体衬底的制造方法和氮化物晶体衬底。稳定获得含有AlGaN的氮化物晶体衬底。氮化物晶体衬底的制造方法具备如下工序：(a)准备基底衬底；(b)在衬底的上方形成含有n型的III族氮化物晶体的中间层；(c)在中间层上形成具有低于中间层的载流子浓度的载流子浓度的含有III族氮化物晶体的覆盖层；(d)通过电化学处理，维持覆盖层的表面状态，并通过覆盖层的位错而使中间层成为多孔状；(e)在覆盖层上使III族氮化物晶体所形成的再生长层进行外延生长；(f)以形成多孔状的中间层的至少一部分为界使再生长层从衬底剥离，在(e)中，使Al组成比x为0.05以上且0.8以下的由Al<subgt;x</subgt;Ga<subgt;1－x</subgt;N的组成式表示的晶体作为再生长层生长。

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【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及氮化物晶体衬底的制造方法和氮化物晶体衬底。

技术介绍

1、作为获得由iii族氮化物晶体形成的氮化物晶体衬底的制造方法，公开有各种各样的方法(例如，专利文献1和非专利文献1)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2003－178984号公报

5、非专利文献

6、非专利文献1：ecs journal of solid state science and technology 10(3)，035001，2021

技术实现思路

1、专利技术所要解决的问题

2、本专利技术的目的在于，稳定获得含有algan的氮化物晶体衬底。

3、解决问题的手段

4、根据本专利技术的方式，提供一种氮化物晶体衬底的制造方法，其中，包括在如下工序：

5、(a)准备基底衬底的工序；

6、(b)在所述基底衬底的上方，形成含有n型的iii族氮化物晶体的中间层的工序；

7、(c)在所述中间层上，形成具有低于所述中间层的载流子浓度的载流子浓度的含有iii族氮化物晶体的覆盖层的工序；

8、(d)通过电化学处理，维持所述覆盖层的表面状态，并通过所述覆盖层的位错而使所述中间层成为多孔状的工序；

9、(e)在所述覆盖层上，使包含iii族氮化物晶体的再生长层进行外延生长的工序；

10、(f)以成为多孔状的所述中间层的至少一部分为界，使

11、在(e)中，作为所述再生长层，使al组成比x为0.05以上且0.8以下的由alxga1－xn的组成式表示的晶体生长。

12、根据本专利技术的另一方式，提供一种氮化物晶体衬底，其中，

13、包含由alxga1－xn的组成式所表示的晶体，

14、所述组成式中的al组成比x为0.05以上且0.8以下，

15、所述氮化物晶体衬底满足以下的式(1)，

16、0.58≤a/c≤0.66…(1)

17、在此，

18、c是通过x射线衍射测量基于algan的(0002)面衍射的峰的衍射角度而求得的所述氮化物晶体衬底的＜0001＞轴方向的晶格常数，

19、a是基于所述c、与通过x射线衍射测量而取得的algan的(10－12)面衍射的峰的衍射角度而求得的所述氮化物晶体衬底的＜11－20＞轴方向的晶格常数。

20、专利技术的效果

21、根据本专利技术，能够稳定地获得含有algan的氮化物晶体衬底。

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【技术保护点】

1.一种氮化物晶体衬底的制造方法，其中，具备如下工序：

2.根据权利要求1所述的氮化物晶体衬底的制造方法，其中，

3.根据权利要求1或权利要求2所述的氮化物晶体衬底的制造方法，其中，在(c)中，作为所述覆盖层，使GaN晶体生长。

4.根据权利要求1或权利要求2所述的氮化物晶体衬底的制造方法，其中，在(c)中，作为所述覆盖层，使Al组成比x高于0且在1以下的由AlxGa1－xN的组成式表示的晶体生长。

5.一种氮化物晶体衬底，其中，

6.根据权利要求5所述的氮化物晶体衬底，其中，所述氮化物晶体衬底具有25mm以上的直径，并且没有裂纹。

7.根据权利要求5或权利要求6所述的氮化物晶体衬底，其中，

【技术特征摘要】

1.一种氮化物晶体衬底的制造方法，其中，具备如下工序：

2.根据权利要求1所述的氮化物晶体衬底的制造方法，其中，

3.根据权利要求1或权利要求2所述的氮化物晶体衬底的制造方法，其中，在(c)中，作为所述覆盖层，使gan晶体生长。

4.根据权利要求1或权利要求2所述的氮化物晶体衬底的制造方法，其中，在...

【专利技术属性】
技术研发人员：今野泰一郎，横山正史，藤仓序章，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：

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