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本发明提供了一种基于氮氧化硅抗反射层的化学机械平坦化工艺，包括：提供一半导体晶圆，所述半导体晶圆包括衬底、形成于衬底上的氧化层、形成于所述氧化层上的氮化硅层、形成于所述氮化硅层上的抗反射层、贯穿所述抗反射层并延伸入所述衬底中的沟槽、以及填充...
该专利属于无锡华润上华科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华科技有限公司授权不得商用。

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