【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种深硅刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：将涂有光刻胶的硅晶片放入刻蚀设备的腔室中，采用Bosh刻蚀工艺，获得具有陡直深沟槽形貌的硅晶片；去除所述具有陡直深沟槽形貌的硅晶片表面剩余的光刻胶；在所述刻蚀设备的腔室中对去除光刻胶的硅晶片进行顶部开口刻蚀，获得具有V型顶部形貌的硅晶片。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周娜，蒋中伟，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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