【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种氮化钽的刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底，所述衬底表面依次形成有氮化钽层、氮化硅层及图案化的光刻胶层；以所述图案化的光刻胶层为掩膜，对所述氮化硅层进行部分刻蚀；部分刻蚀完成后，对所述氮化硅层表面的光刻胶层进行灰化工艺；对部分刻蚀后的所述氮化硅层进行刻蚀，并暴露出所述氮化硅层进行部分刻蚀后其下面的氮化钽层；以剩余的氮化硅层为硬掩膜，对暴露的氮化钽层进行部分刻蚀。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张振兴，奚裴，熊磊，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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