低成本超薄MEMS结构和制作工艺制造技术

本发明专利技术提供一种低成本超薄MEMS结构制作工艺，包括下述步骤：提供一硅基板；在硅基板背面先后沉积牺牲层和阻挡层；在硅基板的背面刻蚀制作应力槽和分割槽；在硅基板的背面覆盖一保护层，保护层的材料填充硅基板背面的应力槽和分割槽；然后对保护层表面进行平整化处理；对硅基板的正面进行减薄；在减薄后的硅基板中刻蚀形成MEMS核心结构；MEMS核心结构包括穿透硅基板的通道和通道间的硅薄膜；利用硅基板中的通道，采用刻蚀工艺在MEMS核心结构底部释放出MEMS结构单元需要的空腔；在硅基板正面的MEMS核心结构上形成金属互连；对硅基板进行划片，分割为各个独立的MEMS结构单元。本发明专利技术成本低且可提供有效保护。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种低成本超薄MEMS结构制作工艺，其特征在于，包括下述步骤：S1，提供一硅基板(1)；S2，在硅基板(1)背面先后沉积牺牲层(2)和阻挡层(3)；S3，在硅基板(1)的背面刻蚀制作应力槽(4)和分割槽(5)；分割槽(5)位于待划分的MEMS结构单元之间；确保每个待划分的MEMS结构单元对应的硅基板(1)背面区域至少有一个应力槽(4)；S4，在硅基板(1)的背面覆盖一保护层(6)，保护层(6)的材料填充硅基板(1)背面的应力槽(4)和分割槽(5)；然后对保护层(6)表面进行平整化处理；S5，对硅基板(1)的正面进行减薄；S6，对硅基板(1)的正面进行：在减薄后的硅基板中刻蚀形成MEMS核心结构(100)；MEMS核心结构(100)包括穿透硅基板(1)的通道(7)和通道(7)间的硅薄膜(8)；S7，利用硅基板(1)中的通道(7)，采用刻蚀工艺在MEMS核心结构(100)底部释放出MEMS结构单元需要的空腔(9)；S8，在硅基板(1)正面的MEMS核心结构(100)上形成金属互连；S9，根据分割槽(5)位置对硅基板(1)进行划片，分割为各个独立的MEMS结构单元。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张文奇，靖向萌，上官东恺，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32