一种制备MEMS密闭腔的方法技术

技术编号:11481634 阅读:84 留言:0更新日期:2015-05-20 17:07
本发明专利技术涉及半导体生产工艺技术领域,尤其涉及一种制备MEMS密闭腔的方法,包括以下步骤:(1)首先在衬底上沉积牺牲材料;(2)然后在牺牲材料上涂覆有机聚合物,形成密闭外壳;(3)最后通过化学或物理的方法使牺牲材料以气体形式穿过有机聚合物,得到MEMS密闭腔,该方法无需在有机聚合物材料的表面留出释放孔,也不使用限制性的工艺,为MEMS密闭腔的设计制作提出一种良好的解决方案。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种制备MEMS密闭腔的方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)首先在衬底上沉积牺牲材料;(2)然后在牺牲材料上涂覆有机聚合物,形成密闭外壳;(3)最后通过化学或物理的方法使牺牲材料以气体形式穿过有机聚合物,得到MEMS密闭腔。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张华
申请(专利权)人:苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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