电容式MEMS惯性传感器的形成方法技术

一种电容式MEMS惯性传感器的形成方法，包括：提供具有CMOS控制电路、及与电路电连接的固定电极的基底；形成与固定电极具有正对面积的牺牲层；形成覆盖基底、固定电极及牺牲层的第一介质层、覆盖第一介质层的用于形成可动电极的半导体材料层、覆盖半导体材料层的第二介质层；在第二介质层内形成露出半导体材料层的第一开口，第一开口与牺牲层在基底表面上的投影错开；形成填充第一开口、并与半导体材料层电连接的控制电极；形成覆盖第二介质层及控制电极的钝化层；进行干法刻蚀以在钝化层及第二介质层内形成露出半导体材料层的第二开口，第二开口与牺牲层具有正对面积。解决了利用现有方法所形成的惯性传感器可靠性不高的问题。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种电容式MEMS惯性传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供具有CMOS控制电路、及与所述CMOS控制电路电连接的固定电极的基底；在所述基底及固定电极上形成与固定电极具有正对面积的牺牲层；形成覆盖所述基底、固定电极及牺牲层的第一介质层；形成覆盖所述第一介质层的用于形成可动电极的半导体材料层；形成覆盖所述半导体材料层的第二介质层；对所述第二介质层进行图形化，以在所述第二介质层内形成露出部分半导体材料层的第一开口，所述第一开口与牺牲层在基底表面上的投影错开；形成填充所述第一开口、并与所述半导体材料层电连接的控制电极；形成覆盖所述第二介质层及控制电极的钝化层；进行干法刻蚀以在所述钝化层及第二介质层内形成露出部分半导体材料层的第二开口，所述第二开口与牺牲层具有正对面积，所述干法刻蚀步骤中所述第二介质层与半导体材料层之间的刻蚀选择比大于1：1。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：汪新学，倪梁，伏广才，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31