一种纳米线及阵列的形成方法技术

本发明专利技术提供一种纳米线的形成方法，包括步骤：提供半导体衬底，所述衬底上具有硬掩膜；刻蚀步骤与钝化步骤交替进行，以形成糖葫芦形貌，其中，钝化步骤包括：进行氧化，以形成钝化层；去除半导体衬底表面的钝化层；而后，氧化糖葫芦形貌并进行释放，以形成纳米线。本发明专利技术中，进行钝化步骤，以在每次刻蚀完成后，在已形成的糖葫芦形貌的侧壁上形成钝化层，这样，在下一刻蚀周期保护已形成的糖葫芦形貌的侧壁，并减少聚合物的产生，工艺造价低且简单易行。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种纳米线的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底，所述衬底上具有硬掩膜；刻蚀步骤与钝化步骤交替进行，以形成糖葫芦形貌，其中，钝化步骤包括：进行氧化，以形成钝化层；去除半导体衬底表面的钝化层；氧化糖葫芦形貌并进行释放，以形成纳米线。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：洪培真，马小龙，殷华湘，徐秋霞，李俊峰，赵超，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11