聚合物纳米环的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种聚合物纳米环的制备方法；将二维胶体晶体负载在基板上，对其进行反应离子刻蚀，刻蚀碎片随着等离子体一起运动到胶体晶体和基板的界面处进行聚合，超声除去胶体晶体后即得由刻蚀碎片聚合而成的纳米环。本发明专利技术的制备方法是基于二维胶体晶体为模板，结合反应离子刻蚀技术来制备纳米环，具备操作简单、成本低、环保等优点，能够大面积地制备纳米环阵列，制得的纳米环排列整齐均一，耐酸耐碱耐有机溶剂。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种聚合物纳米环的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：将二维聚合物胶体晶体负载到基板上，置于反应离子刻蚀腔室内进行刻蚀，除去二维聚合物胶体晶体，即得由刻蚀碎片聚合而成的聚合物纳米环。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：虞明东，杜灿，丁万强，
申请(专利权)人：上海维凯光电新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31