精准测量钻刻大小的方法及剥离工艺技术

本发明专利技术涉及一种精准测量钻刻大小的方法及剥离工艺，包括：S1、提供基板，所述基板上形成有至少一层薄膜，且于最上层所述薄膜的顶部形成有光刻胶；S2、在所述光刻胶上设置掩膜版，所述掩膜版上形成有测量图形，所述测量图形包括若干间隔设置的固支梁和设置在相邻两个所述固支梁之间的被显影区域，各个所述固支梁具有不同宽度；S3、将基板使用所述掩膜版曝光后显影，在显微镜下观察显影后光刻胶上的图形，得到所形成的钻刻的大小。采用该精准测量钻刻大小的方法及剥离工艺可以精准测量钻刻的大小，并避免观测设备带来的量测误差。并避免观测设备带来的量测误差。并避免观测设备带来的量测误差。

【技术实现步骤摘要】
精准测量钻刻大小的方法及剥离工艺


[0001]本专利技术涉及一种精准测量钻刻大小的方法及剥离工艺，属于半导体器件制备领域。

技术介绍

[0002]在半导体器件的制造工艺中，剥离胶加光刻胶的双层胶工艺一般用于金属蒸发以剥离形成金属图形。下层的剥离胶的腐蚀开口比上层的光刻胶显影开口大，以形成钻刻(即undercut)，这样易于金属蒸发之后的剥离。其中，钻刻的大小，影响金属蒸发图形边缘的拖影，例如，钻刻大时拖影长，钻刻小时拖影小。并且，金属图形边缘拖影的大小对于后续工艺有不同影响，因此控制钻刻的大小，来控制金属图形的拖影，有利于维护整体工艺的稳定性。因而，需要有效地对钻刻的大小进行监控、测量。目前主要有以下两种方案，以对钻刻的宽度进行测量。
[0003]然而，受显微镜景深的限制，一般的光学显微镜存在固有的量测误差，无法同时清晰的观察到钻刻的两条边界，导致钻刻的大小无法被精准的量测。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种精准测量钻刻大小的方法及剥离工艺，可以精准测量钻刻的大小，并避免观测设备带来的量测误差。
[0005]为达到上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种精准测量钻刻大小的方法，包括：
[0006]S1、提供基板，所述基板上形成有至少一层薄膜，且于最上层所述薄膜的顶部形成有光刻胶；
[0007]S2、在所述光刻胶上设置掩膜版，所述掩膜版上形成有测量图形，所述测量图形包括若干间隔设置的固支梁和设置在相邻两个所述固支梁之间的被显影区域，各个所述固支梁具有不同宽度；
[0008]S3、将基板使用所述掩膜版曝光后显影，在显微镜下观察显影后光刻胶上的图形，得到所形成的钻刻的大小。
[0009]进一步地，所述光刻胶为负性胶或双层胶。
[0010]进一步地，若干所述固支梁按照其宽度从小到大设置。
[0011]进一步地，，在不同所述固支梁的宽度范围内，所述固支梁的宽度与其长度成反比。
[0012]进一步地，通过设置所述被显影区域的长度来控制所述固支梁的长度。
[0013]进一步地，其特征在于，所述测量图形还包括对应每个所述固支梁的宽度的读数。
[0014]进一步地，所述固支梁在所述掩模版的第一方向上依次间隔设置，每个所述读数对应每个所述固支梁设置在所述固支梁的一侧。
[0015]进一步地，步骤S3中，形成有所述钻刻的固支梁与未形成钻刻的固支梁具有不同
颜色。
[0016]进一步地，步骤S3中，所述显微镜为光学显微镜。
[0017]本申请还提供一种剥离工艺，其包括所述的精准测量钻刻大小的方法。
[0018]与现有技术相比，本专利技术的有益效果在于：本专利技术的精准测量钻刻大小的方法及剥离工艺通过涉及测量图形来读取钻刻的大小，不会受到显微镜景深的限制，从根本上避免了设备测量产生的误差，能精准测量钻刻的大小。
[0019]上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本专利技术的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
附图说明
[0020]图1为本专利技术一实施例所示的精准测量钻刻大小的方法中的掩膜版的版图设计；
[0021]图2为本专利技术一实施例所示的精准测量钻刻大小的方法中曝光后的光刻胶的显微镜图。
具体实施方式
[0022]下面结合附图和实施例，对本专利技术的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。
[0023]需要说明的是：本专利技术的“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等用语只是参考附图对本专利技术进行说明，不作为限定用语。
[0024]本实施例的精准测量钻刻大小的方法，包括：
[0025]S1、提供基板，所述基板上形成有至少一层薄膜，且于最上层所述薄膜的顶部形成有光刻胶；
[0026]S2、在所述光刻胶上设置掩膜版，所述掩膜版上形成有测量图形，所述测量图形包括若干间隔设置的固支梁和设置在相邻两个所述固支梁之间的被显影区域，各个所述固支梁具有不同宽度；
[0027]S3、将基板使用所述掩膜版曝光后显影，在显微镜下观察显影后光刻胶上的图形，得到所形成的钻刻的大小。
[0028]具体的，本实施例的光刻胶为负性胶，诚然，在其他实施例中，还可以是双层胶。在掩模版上设计图1所示的测量图形，将固支梁1按照其宽度大小从小到大间隔设置，相邻的固支梁1之间为被显影区域2。在本实施例中，固支梁1的宽度范围，视需要测量的钻刻的大小而定，同时，在左侧标注固支梁1的宽度读数3。由于宽度较小的固支梁1容易脱落并污染图形，因此应将对应的固支梁1的长度进行等比例的设计，以避免固支梁1脱落污染其他正常图形。即，在不同所述固支梁1的宽度范围内，所述固支梁1的宽度与其长度成反比，例如，在0.2微米
‑
0.6微米内，固支梁1的长度小于0.8
‑
1.2微米的固支梁1长度。其比例可根据实际需要进行设置，并通过被显影区域2的长度来控制所述固支梁1的长度。
[0029]请参见图2，当显影完成后，通过光学显微镜观察时，固支梁底部被钻刻贯穿时，其颜色与未被贯穿的固支梁不同，由于读出最大被贯穿的固支梁读数的一半(底部形成有两个钻刻)，即为当前的钻刻大小。本实施例中，该钻刻大小为1微米。
[0030]在本专利技术另一实施例中，还提供一种剥离工艺，其包括上一实施例所示精准测量
钻刻大小的方法，其他剥离工艺步骤为现有常规手段，在此不详细说明。
[0031]综上所述：本专利技术的精准测量钻刻大小的方法及剥离工艺通过涉及测量图形来读取钻刻的大小，不会受到显微镜景深的限制，从根本上避免了设备测量产生的误差，能精准测量钻刻的大小。
[0032]以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
[0033]以上所述实施例仅表达了本专利技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对专利技术专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本专利技术的保护范围。因此，本专利技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种精准测量钻刻大小的方法，其特征在于，包括：S1、提供基板，所述基板上形成有至少一层薄膜，且于最上层所述薄膜的顶部形成有光刻胶；S2、在所述光刻胶上设置掩膜版，所述掩膜版上形成有测量图形，所述测量图形包括若干间隔设置的固支梁和设置在相邻两个所述固支梁之间的被显影区域，各个所述固支梁具有不同宽度；S3、将基板使用所述掩膜版曝光后显影，在显微镜下观察显影后光刻胶上的图形，得到所形成的钻刻的大小。2.如权利要求1所述的精准测量钻刻大小的方法，其特征在于，所述光刻胶为负性胶或双层胶。3.如权利要求1所述的精准测量钻刻大小的方法，其特征在于，若干所述固支梁按照其宽度从小到大设置。4.如权利要求3所述的精准测量钻刻大小的方法，其特征在于，在不同所述固支梁的宽度范围内，所述固支梁的宽度与其长度成反比。5.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：王绪胜，赵成龙，耿增华，
申请(专利权)人：苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：