污染物检测工具及相关方法技术

本申请案涉及污染物检测工具及相关方法。一种污染物检测方法包括将包括一或多种污染物的晶片暴露于氧化剂的微滴以在所述晶片的表面上形成氧化物，将所述氧化物暴露于蚀刻剂以去除所述氧化物并将所述一或多种污染物留在所述晶片的所述表面上，及确定所述一或多种污染物的组成。还揭示额外方法及相关工具。污染物的组成。还揭示额外方法及相关工具。污染物的组成。还揭示额外方法及相关工具。

【技术实现步骤摘要】
污染物检测工具及相关方法
[0001]优先权主张
[0002]本申请案主张2019年9月25日申请的针对“污染物检测工具及相关方法(Contaminant Detection Tools and Related Methods)”的序列号为16/582,420的美国专利申请案的申请日期的权益。


[0003]本专利技术的实施例涉及微电子装置制造领域。更具体来说，本文揭示的实施例涉及污染物检测工具及相关方法。

技术介绍

[0004]微电子装置的制造包含在清洁条件下形成微电子装置的组件，例如电极、晶体管、电容器、存储器材料及微电子装置的其它组件。举例来说，微电子装置的制造包含形成及图案化电介质材料、导电材料、光致抗蚀剂材料以及其它材料。然而，此类材料的形成及图案化可能在微电子装置制造工具中留下残留物及各种污染物，如果在其它制造动作期间暴露于此类材料，那么残留物及各种污染物可能会对微电子装置的成功制造有害。作为一个实例，在微电子装置的各种导电组件的形成期间使用的金属可能会不合期望地保留在用以形成含金属材料的制造工具中。不幸的是，在其它制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种污染物检测方法，其包括：将包括一或多种污染物的晶片暴露于氧化剂的微滴以在所述晶片的表面上形成氧化物；将所述氧化物暴露于蚀刻剂以去除所述氧化物并将所述一或多种污染物留在所述晶片的所述表面上；及确定所述一或多种污染物的组成。2.根据权利要求1所述的方法，其中将包括一或多种污染物的晶片暴露于微滴包括形成包括所述氧化剂的所述微滴的气溶胶并将所述晶片暴露于所述气溶胶。3.根据权利要求1所述的方法，其中将包含一或多种污染物的晶片暴露于微滴包括用雾化器形成包括过氧化氢的微滴的气溶胶。4.根据权利要求3所述的方法，其中用雾化器形成包括过氧化氢的微滴的气溶胶包括用包括氩气及氮气中的一或多者的载气形成所述气溶胶。5.根据权利要求1所述的方法，其中将包括一或多种污染物的晶片暴露于氧化剂的微滴以形成氧化物包括形成所述氧化物以使其具有在从约到约的范围内的厚度。6.根据权利要求1所述的方法，其中将包括一或多种污染物的晶片暴露于氧化剂的微滴包括将所述晶片暴露于选自由以下各者组成的群组的一或多种材料：过氧化氢、水、氨、硝酸、硫酸、高氯酸及氢氟酸。7.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的方法，其中将包括一或多种污染物的晶片暴露于氧化剂的微滴包括将所述晶片暴露于针对每一平方厘米的所述晶片从约0.1μL的所述氧化剂到约0.2μL的所述氧化剂。8.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的方法，其中将所述氧化物暴露于蚀刻剂包括将所述氧化物暴露于包括氟化氢的蒸气。9.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的方法，其中确定所述一或多种污染物的组成包括将所述晶片暴露于经配制以溶解所述一或多种污染物的扫描溶液。10.根据权利要求9所述的方法，其中将所述晶片暴露于扫描溶液包括使所述晶片的基本上所有表面与所述扫描溶液接触。11.根据权利要求9所述的方法，其中将所述晶片暴露于扫描溶液包括将所述扫描溶液的液滴放置在所述晶片上并旋转所述晶片。12.根据权利要求11所述的方法，其中确定所述一或多种污染物的组成包括通过电感耦合等离子体质谱法分析所述扫描溶液的所述液滴。13.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的方法，其中将包括一或多种污染物的晶片暴露于氧化剂的微滴以在所述晶片的表面上形成氧化物包括将包括硅的晶片暴露于所述氧化剂的所述微滴以在所述晶片的所述表面上形成二氧化硅。14.一种检测至少一种污染物的方法，其包括：雾化...

【专利技术属性】
技术研发人员：D，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：