半导体装置制造方法及图纸

本申请提供一种半导体装置，包括壳体、承载平台以及气源组件。壳体上形成有隔离腔体，以及连通隔离腔体的进风口和出风口，承载平台位于隔离腔体内，用于放置半导体元件。气源组件位于隔离腔体的外部，分别与进风口和出风口连通，以向隔离腔体内输送洁净气流。洁净气流能够在半导体元件的表面形成隔离气流，以防止隔离腔体内的尘粒落在半导体元件上。本申请提供的半导体装置，通过引导洁净气流在半导体元件的表面形成隔离气流，有效地降低了洁净气流流向半导体元件的表面，对半导体元件造成污染的风险。的风险。的风险。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置


[0001]本申请涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体装置。

技术介绍

[0002]在半导体器件的生产制造中，需要对半导体元件，例如晶圆，进行多道复杂的处理工艺，采用多层沉积、光刻等方法在半导体元件的表面形成图形化的薄膜，然后构成各种电学元器件以及电路结构等。
[0003]在半导体元件的每一道制造工艺中，随着半导体装置自身不断地的运转、老化，不可避免地会产生一些尘粒等污染物落在半导体元件上。这些尘粒等污染物将严重影响半导体元件的品质，为此，需要严格控制半导体元件加工过程中的环境洁净度。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请实施例期望提供一种半导体装置，以降低半导体元件的表面污染。
[0005]为达到上述目的，本申请实施例提供一种半导体装置，包括：
[0006]壳体，形成有隔离腔体、以及连通所述隔离腔体的进风口和出风口；
[0007]承载平台，位于所述隔离腔体内，用于放置半导体元件；以及
[0008]气源组件，位于所述隔离腔体的外部，分别与所述进风口和所述出风口连通，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：壳体，形成有隔离腔体、以及连通所述隔离腔体的进风口和出风口；承载平台，位于所述隔离腔体内，用于放置半导体元件；以及气源组件，位于所述隔离腔体的外部，分别与所述进风口和所述出风口连通，以向所述隔离腔体内输送洁净气流；所述洁净气流能够在所述半导体元件的表面形成隔离气流，以防止所述隔离腔体内的尘粒落在所述半导体元件上。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还包括导流体，用于引导所述洁净气流在所述半导体元件的表面形成隔离气流。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述承载平台包括转动连接的旋转平台和平移平台，所述半导体元件放置在所述旋转平台上，所述导流体设置在所述平移平台上。4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述导流体上形成有导流面，由所述承载平台的边缘到中心的方向，所述导流面的高度逐渐增加。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述导流面相对于所述半导体元件的表面的倾斜角度为α，15
°
≤α≤60
°
。6.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述气源组件包括第一气源组件和第二气源组件，所述第一气源组件向所述隔离腔体内输送第一洁净气流，所述第二气源组件向所述隔离腔体内输送第二洁净气流，所述第一洁净气流的强度大于所述第二洁净气流的强度；所述进风口包括第一进风口和第二进风口，所述出风口包括第一出风口和第二出风口，所述第一进风口和第一出风口形成在所述隔离腔体沿平行于所述半导体元件的表面方向的两侧，所述第二进风口和所述第二出风口形成在所述隔离腔体沿垂直于所述半导体元件的表面方向的两侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：周毅，张贝，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：