【技术实现步骤摘要】
用于深硅刻蚀后晶片的传送装置
[0001]本技术涉及一种用于深硅刻蚀后晶片的传送装置，属于半导体制造领域。
技术介绍
[0002]微机电系统的制造工艺中，晶片是必不可少的器件之一，MEMS架构的构建过程中，通常需要对晶片进行多个工序的加工，大多数工序都需要对晶片进行抓取，目前，取晶片的手臂一般采用真空吸附的方式对晶片进行吸取，而深硅刻蚀后的晶片，被刻蚀的区域厚度低至20μm，由于厚度太小，真空会将晶片吸破，造成损失，并导致晶片检测系统无法检测到晶片。由于受传送空间的影响，手臂厚度无法增加，因此，目前通常通过检测晶面识别产品。但是当晶面沉膜颜色较暗时，由于手臂上传感器的发射段和接收端在一起，光线发射到晶面后反射光十分微弱，检测端无接收信号，导致无法准确侦测产品，机台无法正常传片。同时，部分晶片在刻蚀后会出现翘曲现象，现有的手臂在抓取过程中，存在往往由于摩擦力不足导致抓取晶圆时会脱片现象。
技术实现思路
[0003]本技术的目的在于提供一种深硅刻蚀后晶片的传送装置，可以有效检测各种沉膜颜色的晶圆，扩大了装置的检测范围...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于深硅刻蚀后晶片的传送装置，其特征在于，包括：检测机台和安装在所述检测机台上的机台手臂，所述检测机台上设有用于对晶片进行检测的检测组件；所述机台手臂包括起抓取作用的抓取部、起限位作用的限位部和设置在所述机台手臂上的传感器。2.如权利要求1所述的用于深硅刻蚀后晶片的传送装置，其特征在于，所述抓取部被配置成与所述晶片大小相适应的U型结构，所述限位部设置在所述U新结构的平滑底端，且被配置在位于所述晶片的边缘位置。3.如权利要求2所述的用于深硅刻蚀后晶片的传送装置，其特征在于，所述限位部设置在所述平滑底端的上方，且所述限位部被配置与所述平滑底端相同的弧形结构。4.如权利要求3所述的用于深硅刻蚀后晶片的传送装置，其特征在于，所述传感器包括设置在所述抓取部上的发射端和设置在所述限位部上的接收端；或者，包括设置在所述抓取部上的接收端和设置在所述限位部上...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯建炜，
申请(专利权)人：苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：
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