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本发明涉及一种精准测量钻刻大小的方法及剥离工艺，包括：S1、提供基板，所述基板上形成有至少一层薄膜，且于最上层所述薄膜的顶部形成有光刻胶；S2、在所述光刻胶上设置掩膜版，所述掩膜版上形成有测量图形，所述测量图形包括若干间隔设置的固支梁和设置...该专利属于苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司授权不得商用。
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本发明涉及一种精准测量钻刻大小的方法及剥离工艺，包括：S1、提供基板，所述基板上形成有至少一层薄膜，且于最上层所述薄膜的顶部形成有光刻胶；S2、在所述光刻胶上设置掩膜版，所述掩膜版上形成有测量图形，所述测量图形包括若干间隔设置的固支梁和设置...