【技术实现步骤摘要】
一种MEMS半导体器件
[0001]本技术属于半导体封装
,尤其涉及一种MEMS半导体器件。
技术介绍
[0002]半导体封装程序是用来提供一种封装构造保护半导体芯片,使半导体芯片在通电运作时能避免发生外力撞击、灰尘污染、受潮或氧化等问题,以便利用封装构造提升半导体芯片的使用可靠度及延长其使用寿命。在现有的半导体封装制造过程中,通常先取得半导体晶圆并对其进行晶圆测试,通过测试后的半导体晶圆会被切割成数个半导体芯片,而各半导体芯片随后被黏固在导线架或基板上,以进行打线结合程序。最后,再利用封胶材料包覆半导体芯片、导线以及导线架或基板的部分表面,如此即可大致完成半导体封装构造的半成品。
[0003]在镀制Al/Ti/TiN膜层结构的MEMS半导体器件时,在退火后,铝垫层常常会出现无麻点异常,从而导致打线异常,影响封装效果,浪费时间和人力成本。
技术实现思路
[0004]本技术的目的在于提供一种MEMS半导体器件,通过在Al/Ti/TiN膜层结构的铝垫层上增加TiN过渡层,消除了Ti对Al退火的影响,解决了铝垫在退火后无麻点的问题。
[0005]为达到上述目的,本技术提供如下技术方案:
[0006]本技术提出了一种MEMS半导体器件,包括衬底层、依次镀制在所述衬底层上的铝垫层、TiN过渡层、Ti层和TiN层,形成Al/TiN/Ti/TiN的膜层结构。
[0007]进一步的,所述铝垫层的厚度为1200埃,所述TiN过渡层的厚度为50埃,所述Ti层的厚度为200埃,所述TiN层 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种MEMS半导体器件,其特征在于,包括衬底层、依次镀制在所述衬底层上的铝垫层、TiN过渡层、Ti层和TiN层,形成Al/TiN/Ti/TiN的膜层结构;所述铝垫层的厚度为1200...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈旭,吴庆才,
申请(专利权)人:苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司,
类型:新型
国别省市:
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