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本发明提供一种低成本超薄MEMS结构制作工艺，包括下述步骤：提供一硅基板；在硅基板背面先后沉积牺牲层和阻挡层；在硅基板的背面刻蚀制作应力槽和分割槽；在硅基板的背面覆盖一保护层，保护层的材料填充硅基板背面的应力槽和分割槽；然后对保护层表面进行...
该专利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华进半导体封装先导技术研发中心有限公司授权不得商用。

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