【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
一种用于至少制造微载体的方法,该方法包含下列步骤:a)提供具有夹层结构的晶片(15),所述晶片包含底层(16)、第一舍弃顶层(17)、和位于所述底层和顶层(16,17)之间的绝缘层(18);b)构造第一舍弃层(17)以形成第一掩模,所述第一掩模勾画第一三维负性图案(21);c)在第一舍弃层(17)上沉积第一结构层(23)以形成与第一三维负性图案(21)互补的第一三维结构;d)在第一结构层(23)的顶面上沉积第二舍弃层(25);e)构造第二舍弃层(25)以限定第二掩模,所述第二掩模在第一结构层(23)的顶面上勾画第二三维负性图案(28);f)在第二三维负性图案(28)中沉积第二结构层(29)以在第一结构层的上表面上形成第二三维结构;g)从第一结构层(23)和第二结构层(29)之上向下至绝缘层进行蚀刻去除,以勾画微载体(31)的本体的侧壁(32),每个本体至少包含第一个下部三维结构(24)和第二个上部三维结构(29);h)蚀刻掉绝缘层(18)、底层(16)和舍弃层以释放微载体。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:拉斐尔·托尔奈,尼古拉斯·德米埃尔,斯蒂芬·甘伯,菲利普·赫诺,
申请(专利权)人:麦卡提斯有限责任公司,
类型:发明
国别省市:比利时;BE
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。